[发明专利]通过监测UV出耦合的变化对UV应用的安全性改进

权利要求书

1.一种系统(200)，包括：

波导元件(1210)，其包括辐射出射窗口(230)，其中，所述波导元件(1210)被配置为(a)接收辐射(221)，其中，所述辐射(221)至少包括UV辐射，并且所述波导元件被配置为(b)经由所述辐射出射窗口(230)将所述辐射(221)的至少部分辐照到所述波导元件(1210)的外部，并且所述波导元件被配置为(c)在所述辐射出射窗口(230)处将所述辐射(221)的部分进行内反射；

光学传感器(310)，其被配置为感测被内反射辐射(221)的内反射强度(I)；

控制系统(300)，其功能性地耦合到所述光学传感器，并且被配置为根据达到所述内反射强度(I)随时间的降低的预定第一阈值来降低所述辐射(221)的强度。

2.根据权利要求1所述的系统(200)，其中，所述控制系统(300)被配置为仅当在预定控制时段中所述内反射强度(I)随时间的增加的预定第二阈值未发生时降低所述辐射(221)的所述强度，并且其中，所述内反射强度随时间的降低的所述预定第一阈值是由所述光学传感器(310)感测到所述内反射强度(I)在最多1秒内降低至少1％。

3.根据权利要求1所述的系统(200)，其中，所述预定第一阈值选自0.1％/s≤|ΔI/Δt|≤400％/s的范围，其中，ΔI是内反射强度(I)以百分比为单位的降低，其中，ΔI0％，其中，Δt是发生这种降低ΔI的时间段，其中，Δt为最多1秒。

4.根据权利要求1所述的系统(200)，其中，所述控制系统(300)被配置为根据所述内反射强度(I)随时间的增加的预定第二阈值来增加所述辐射(221)的所述强度。

5.根据权利要求2和4中的任一项所述的系统(200)，其中，所述预定第二阈值选自0.1％/s≤|ΔI/Δt|≤100％/s的范围，其中，ΔI是内反射强度(I)以百分比为单位的增加，其中，ΔI0％，其中，Δt是发生这种增加ΔI的时间段，其中，Δt为最多1秒。

6.根据权利要求5所述的系统(200)，其中，所述控制系统被配置为根据达到所述内反射强度(I)随时间的所述降低的所述预定第一阈值来将所述辐射(221)降低到所述辐射(221)的大于0W的第一强度水平，并且根据所述内反射强度(I)随时间的所述增加的所述预定第二阈值来将所述辐射(221)增加到所述辐射(221)的预定第二强度水平，其中，所述辐射(221)的所述预定第二强度水平在所述辐射(221)在降低到所述辐射(221)的所述第一强度水平之前的强度水平的+/-10％的范围内。

7.根据权利要求6所述的系统(200)，其中，所述系统(200)被配置为根据所述辐射(221)的强度与由所述光学传感器(310)感测到的所述内反射强度(I)之间的预定关系来将所述辐射(221)的至少部分辐照到所述波导元件(1210)的所述外部，并且其中，所述辐射(221)的所述预定第二强度水平是与由所述光学传感器(310)感测到的所述内反射强度(I)相关联的所述辐射(221)的强度水平。

8.根据权利要求1-3中的任一项所述的系统(200)，包括用户接口(340)，其中，所述控制系统(300)还包括安全例程，使得在所述辐射(221)的所述强度由于达到所述内反射强度(I)的所述预定第一阈值而降低之后，所述辐射(221)的所述强度仅能够根据经由用户接口(340)的指令来增加。

9.根据权利要求1-4中的任一项所述的系统(200)，其中，所述系统还包括：

光源(220)，其被配置为提供所述辐射(221)。