[发明专利]具有新型栅极电容拓扑结构的器件堆叠在审
| 申请号: | 201880023097.4 | 申请日: | 2018-04-02 |
| 公开(公告)号: | CN110546882A | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
| 发明(设计)人: | 雅罗斯瓦夫·亚当斯基 | 申请(专利权)人: | 派赛公司 |
| 主分类号: | H03F1/22 | 分类号: | H03F1/22 |
| 代理公司: | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈炜;李德山<国际申请>=PCT/US2 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶体管 堆叠 集成电路 栅极电容器 电容 放大器 方法和设备 高度增加 输出端处 杂散电容 栅极电压 期望 寄生 耦接 | ||
描述了用于实际实现包括作为RF放大器工作的晶体管的堆叠的集成电路的系统、方法和设备。随着堆叠高度增加,用于提供在放大器的输出端处的RF电压在堆叠之上的期望分布的栅极电容器的电容值可以降低到接近该集成电路中存在的寄生/杂散电容值的值,这可能会使集成电路的实际实现变得困难。将堆叠中的一个晶体管的栅极处的RF栅极电压耦接至堆叠中的不同晶体管的栅极,可以允许不同晶体管的栅极电容器的电容值的增加,以根据期望分布在不同晶体管的栅极处获得RF电压。
相关申请的交叉引用
本申请请求于2017年4月6日提交的美国专利申请第15/481,276号的优先权,其内容通过引用全部被并入本文。本申请与2007年7月24日公布的标题名称为“StackedTransistor Method and Apparatus”的美国专利第7,248,120号相关,其公开内容通过引用全部被并入本文。本申请还与2015年9月24日公布的标题名称为“Bias Control forStacked Transistor Configuration”的公开的美国申请第2015/0270806A1号相关,其全部公开内容通过引用被并入本文。本申请还与2014年7月3日公布的标题名称为“AmplifierDynamic Bias Adjustment for Envelope Tracking”的公开的美国申请第US2014/0184336 A1号相关,其公开内容通过引用全部被并入本文。本申请还与2015年12月22日公布的标题名称为“Optimization Methods for Amplifier with Variable Supply Power”的美国专利第9,219,445号有关,其公开内容通过引用全部被并入本文。本申请还可以与2013年7月16日公布的标题名称为“Stacked Linear Power Amplifier with CapacitorFeedback and Resistor Isolation”的美国专利第8,487,706B2号有关,其公开内容通过引用全部被并入本文。本申请还可以与标题名称为“Amplifiers Operating in EnvelopeTracking Mode or Non-Envelope Tracking Mode”(代理案卷号PER-087-PAP)的公开的美国申请第2014/0184335A1号有关,其公开内容通过引用全部被并入本文。本申请还可以与标题名称为“Control Systems and Methods for Power Amplifiers Operating inEnvelope Tracking Mode”(代理案卷号PER-090-PAP)的公开的美国申请第2014/0184337A1号相关,其公开内容通过引用全部被并入本文。
技术领域
本申请总体上涉及电子电路,并且更具体地涉及使用以共源共栅结构工作的多个堆叠的晶体管的放大器及其单片集成。
背景技术
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