[发明专利]图像处理装置、图像处理方法和电子设备有效

专利信息
申请号: 201880019966.6 申请日: 2018-03-15
公开(公告)号: CN110447221B 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 水野博之 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H04N5/355 分类号: H04N5/355;H04N5/225;H04N5/235
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 王新春;曹正建
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 图像 处理 装置 方法 电子设备
【说明书】:

本技术涉及一种图像处理装置、图像处理方法和电子设备,当通过合成大像素的像素信号和小像素的像素信号来生成宽动态范围(WD)图像时,使得可以抑制WD图像的图像质量的劣化。根据本技术第一方面的图像处理装置设置有:第一获取单元,其获取从第一像素输出的第一像素信号;第二获取单元,其获取从具有比所述第一像素的尺寸小的尺寸的第二像素输出的第二像素信号;温度检测单元,其检测温度;合成增益确定单元,其确定与检测到的所述温度相对应的合成增益;以及合成单元,其将所述第一像素信号和乘以所述合成增益的所述第二像素信号合成。例如,本技术可以适用于CMOS图像传感器。

技术领域

本技术涉及一种图像处理装置、图像处理方法和电子设备,特别是涉及一种将从具有不同光接收灵敏度的像素输出的像素信号合成以生成WD(宽动态范围)图像的图像处理装置、图像处理方法和电子设备。

背景技术

作为生成WD图像的方法,已知在如CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器等像素阵列上设置具有不同灵敏度的第一像素和第二像素并且合成像素的输出(即,第一图像和第二图像)的方法。

这里,设置具有不同灵敏度的像素的示例包括设置具有长曝光时间的像素(在下文中,称为长累积像素)和具有短曝光时间的像素(在下文中,称为短累积像素)的方法以及设置包括具有大尺寸的如PD(光电二极管)等光电转换单元的像素(在下文中,称为大像素)和包括具有小尺寸的如PD等光电转换单元的像素(在下文中,称为小像素)的方法(例如,参见专利文献1)。

引用列表

专利文献

专利文献1:日本专利申请公开第2004-222154号

发明内容

技术问题

在设置长累积像素和短累积像素的方法中,这两种像素具有相同的结构,并且依赖于两种像素的温度的各种特性是共同的。因此,当合成两种像素的像素信号时,也没有必要考虑温度。

另一方面,在设置大像素和小像素的方法中,这两种像素具有不同的结构。即,两种像素之间如PD等光电转换单元的尺寸不同,并且依赖于两种像素的温度而变化的各种特性不同。依赖于温度而变化的各种特性的示例包括灵敏度特性、饱和电荷量Qs、转换效率、白斑生成特性和黑斑生成特性。在下文中,将这些特性统称为温度依赖特性。

因此,在合成大像素的像素信号和小像素的像素信号的情况下,如果不考虑上面提到的温度依赖特性,那么在大像素的像素信号和小像素的像素信号的接合处会根据温度发生台阶或者像素信号相对于被摄体亮度变化的变化不能保持线性。在这种情况下,发生如在生成的WD图像上生成伪彩色等图像质量的劣化。

鉴于上面提到的情况完成了本技术,并且其目的是在合成大像素的像素信号和小像素的像素信号以生成WD图像时抑制WD图像的图像质量的劣化。

问题的解决方案

根据本技术第一方面的图像处理装置包括:第一获取单元,其获取从第一像素输出的第一像素信号;第二获取单元,其获取从具有比所述第一像素的尺寸小的尺寸的第二像素输出的第二像素信号;温度检测单元,其检测温度;合成增益确定单元,其确定与检测到的所述温度相对应的合成增益;以及合成单元,其将所述第一像素信号和乘以所述合成增益的所述第二像素信号合成。

根据本技术第一方面的图像处理方法包括通过所述图像处理装置执行以下步骤:获取从第一像素输出的第一像素信号的第一获取步骤;获取从具有比所述第一像素的尺寸小的尺寸的第二像素输出的第二像素信号的第二获取步骤;检测温度的温度检测步骤;确定与检测到的所述温度相对应的合成增益的合成增益确定步骤;以及将所述第一像素信号和乘以所述合成增益的所述第二像素信号合成的合成步骤。

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