[发明专利]传感器标记和制造传感器标记的方法

说明书

一种传感器标记，包括衬底(200)，该衬底具有：第一深紫外(DUV)吸收层(310，320，330)，包括基本上吸收DUV辐射的第一材料；第一保护层(600)，包括第二材料；其中：第一DUV吸收层中具有第一通孔(500)；第一保护层在平面图中位于第一通孔(500)中，并且第一通孔中的第一保护层具有包括多个通孔(700)的图案化区域；并且第二材料比第一材料更优质。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年3月15日提交的EP申请17161058.7、2017年6月19日提交的EP申请17176554.8、以及2017年7月26日提交的EP申请17183234.8的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及用于光刻设备的传感器的传感器标记和制造传感器标记的方法。

背景技术

光刻设备是被构造成将所需图案涂覆到衬底上的机器。例如，可以在集成电路(IC)的制造中使用光刻设备。光刻设备可以例如将图案化装置(例如，掩模)的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

为了在衬底上投影图案，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长决定了在衬底上进行图案化的最小特征尺寸。目前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备相比，使用具有4nm至20nm范围(例如6.7nm或13.5nm)内的波长的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可被用于在衬底上形成更小的特征。

在浸没式光刻设备中，液体通过流体操控结构(或液体限制结构)被限制在浸没空间中。浸没空间位于投影系统的最终光学元件(通过其将图案成像)与衬底(图案被转印到其上)或支撑台(其上支撑衬底)之间。液体可以通过流体密封被限制在浸没空间中。所述流体操控结构可以产生或使用气体流，例如以帮助控制在浸没空间中的液体的位置和/或流量。气体流可以帮助形成密封以将液体限制在浸没空间中。集成到支撑台中的传感器的至少一部分(例如传感器标记)与浸没液体接触。

浸没式光刻设备依赖于集成在支撑衬底的支撑台中的若干传感器。这些传感器被用于：

-衬底/支撑台相对于参考框架的对准；

-镜头(重新)调节、设置、加热补偿；和

-光罩(掩模)加热补偿。

传感器标记被集成到薄膜层的堆叠中，薄膜层的堆叠被沉积在集成到支撑台中的石英板上，并被用作：

-用于DUV的空间透射滤波器(扫描仪上的集成透镜干涉仪“ILIAS”传感器、并行ILIAS传感器(PARIS)、透射图像传感器“TIS”传感器功能)；透射滤波器可以实现为图案化的吸收层堆叠，其中吸收体是致密金属(铬)或其他材料。

-用于可见辐射“VIS”、近红外“NIR”、中红外“MIR”(智能对准传感器混合“SMASH”传感器功能)的空间反射滤波器。

来自堆叠顶表面(无标记区域)的反射可被用于水平传感器。

为了保护传感器标记的金属(铬)层免受电偶腐蚀，在流体操控结构和传感器标记之间施加电压。这可以看作是电偶保护。在没有这种电压的情况下，在流体操控结构的不锈钢和传感器标记层的铬之间形成电池，其中浸没液体用作电解质。

电偶保护的存在会导致传感器标记的没有铬优质(noble)的其他层以加快的速率腐蚀。

另外，由于层与DUV辐射的相互作用，会诱发光电流。光电效应产生光电流。光电流的存在会加快腐蚀。

传感器标记层中的材料的腐蚀是不期望的，因为这会使传感器标记劣化并且因此使传感器进行测量的能力劣化，并且还将颗粒引入浸没液体中，这会导致成像误差。