[发明专利]具有提高的效率的太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种结构，包括：

被配置成吸收第一波长范围内的电磁辐射的太阳能电池板；和

附接在所述太阳能电池板的顶部表面上的顶部结构，所述顶部表面朝向入射电磁辐射定向，所述顶部结构被配置成吸收第二波长范围内的电磁辐射，所述第二波长范围包括比所述第一波长范围更短的波长。

2.根据权利要求1所述的结构，还包括附接在所述太阳能电池板的底部表面上的底部结构，所述底部表面与所述顶部表面相反，所述底部结构被配置成吸收第三波长范围内的电磁辐射，所述第三波长范围包括比所述第一波长范围更长的波长。

3.一种结构，包括：

被配置成吸收第一波长范围内的电磁辐射的太阳能电池板，所述太阳能电池板具有朝向入射电磁辐射定向的顶部表面，和与所述顶部表面相反的底部表面；

附接至所述太阳能电池板的所述底部表面的底部结构，所述底部结构被配置成吸收第二波长范围内的电磁辐射，所述第二波长范围包括比所述第一波长范围更长的波长。

4.根据权利要求1所述的结构，其中所述顶部结构包括第一电极、半导体颗粒的层和第二电极。

5.根据权利要求2所述的结构，其中所述顶部结构包括第一电极、半导体颗粒的第一层和第二电极，所述底部结构包括第三电极、半导体颗粒的第二层和第四电极。

6.根据权利要求3所述的结构，其中所述底部结构包括第一电极、半导体颗粒的层和第二电极。

7.根据权利要求4所述的结构，还包括各自在所述半导体颗粒的层的相反侧上的电子传输层和空穴传输层。

8.根据权利要求5所述的结构，还包括各自在所述半导体颗粒的第一层的相反侧上的第一电子传输层和第一空穴传输层；以及各自在所述半导体颗粒的第二层的相反侧上的第二电子传输层和第二空穴传输层。

9.根据权利要求6所述的结构，还包括各自在所述半导体颗粒的层的相反侧上的电子传输层和空穴传输层。

10.根据权利要求8所述的结构，其中：

所述第一电子传输层和所述第二电子传输层选自：TiO₂、WO₃、PbO、MnTiO₃、SnO₂、In₂O₃、Ca、LiF_x、CsF_x、KF_x、CsO_x、MgF_x和LaB₆，

所述第一空穴传输层和所述第二空穴传输层选自：GaP、AlSb、ZnTe、NiO、AlCuO₂、MoO_x、WO_x、CuPc、CuSCN、CuO_x:N和V₂O_x，

所述半导体颗粒的第一层选自：

InGaP、CdSe、CdZnTe、AlGaAs、CdSTe、CdSSe、CsPbCl、CsPbBr和CsPbI，以及

所述半导体颗粒的第二层选自：PbS、PbSe、PbTe、HgS、HgCdTe、HgCdSe、Bi₂Se₃、Ge、GaSb和InGaAs。

11.根据权利要求10所述的结构，其中所述底部结构还包括在所述第四电极下方的光子管理层，所述光子管理层包括复数个三维要素，所述复数个三维要素具有被配置成增加入射电磁辐射朝向所述半导体颗粒的第二层返回的散射的横向尺寸、高度和间隔。

12.根据权利要求11所述的结构，其中所述三维要素具有三角形或矩形截面。