[发明专利]陶瓷电路基板的制造方法有效
| 申请号： | 201880006590.5 | 申请日： | 2018-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN110168140B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 榊和彦;酒井笃士;山田铃弥;谷口佳孝 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人信州大学;电化株式会社 |
| 主分类号： | C23C24/04 | 分类号： | C23C24/04;H05K3/10 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;唐峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 路基 制造 方法 | ||
1.制造陶瓷电路基板的方法，所述陶瓷电路基板具备：陶瓷基材、和形成于所述陶瓷基材上的包含铝及/或铝合金的金属层，
所述方法包括下述工序：
将金属粉体加热至10～270℃、同时加速至250～1050m/s的速度后进行吹喷，由此形成与所述陶瓷基材接触的所述金属层的工序；及
在非活性气体气氛下对所述陶瓷基材及形成于所述陶瓷基材上的所述金属层进行加热处理的工序，
所述金属粉体包含铝粒子及/或铝合金粒子，
在非活性气体气氛下对所述陶瓷基材及所述金属层进行加热处理的工序中，所述陶瓷基材及所述金属层被加热至400～600℃。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述金属层具有第一金属层及第二金属层，
形成所述金属层的工序包括下述步骤：
将包含所述铝合金粒子的金属粉体加热至10～270℃、同时加速至250～1050m/s的速度后向所述陶瓷基材吹喷，由此在所述陶瓷基材上形成所述第一金属层；以及
将包含所述铝粒子的金属粉体加热至10～270℃、同时加速至250～1050m/s的速度后向所述第一金属层吹喷，由此在所述第一金属层上形成所述第二金属层。
3.如权利要求2所述的方法，其中，所述铝合金粒子为铝-镁合金粒子，所述铝-镁合金粒子中的镁的含量相对于所述铝-镁合金粒子的质量而言为6.0质量％以下。
4.如权利要求2或3所述的方法，其中，所述第一金属层的厚度为100μm以下。
5.如权利要求1～3中任一项所述的方法，其中，所述金属粉体的平均粒径为10～70μm。
6.如权利要求1～3中任一项所述的方法，其中，形成所述金属层的工序中，在所述陶瓷基材上配置覆盖其表面的一部分的掩蔽材料，由此在所述陶瓷基材上形成具有图案的所述金属层。
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