[发明专利]氧化物溅射靶及氧化物溅射靶的制造方法

说明书

本发明提供一种氧化物溅射靶，其由作为金属成分含有锆、硅及铟的氧化物组成，所述氧化物溅射靶的特征在于，靶面内的氧浓度的最大值与最小值之差相对于所述氧浓度的最大值与最小值的合计的比率为15％以下。

技术领域

本发明涉及一种包含氧化锆、二氧化硅及氧化铟的氧化物溅射靶以及氧化物溅射靶的制造方法。

背景技术

作为信息记录介质，已知有DVD、BD[Blu-ray(注册商标)Disc]等相变型光盘。这些相变型光盘通常制成在基板上层叠有电介质层、记录层、电介质层及反射层等多个层的层叠体。作为各层的成膜方法，广泛利用溅射法。相变型光盘通过将记录用激光束照射到光记录介质来使记录层产生相变，从而记录信息。

作为相变型光盘的电介质层或保护层，使用包含氧化锆、二氧化硅及氧化铟的氧化物膜(专利文献1、2)。

在专利文献2中公开有一种氧化物溅射靶，其作为光记录介质保护膜形成用溅射靶，具有由如下成分组成的组成，即，以摩尔％计含有氧化锆：10～70％、二氧化硅：50％以下(不包含0％)，剩余部分：氧化铟及不可避免的杂质。在该专利文献2中记载有该氧化物溅射靶的制造方法，该方法为：称取规定量的ZrO₂粉末、非晶质SiO₂粉末及In₂O₃粉末，并利用亨舍尔混合机混合均匀之后，将该混合粉末冲压成型，将所获得的成型体在氧气氛中烧成而使其烧结。

专利文献1：日本专利第4567750号公报(B)

专利文献2：日本专利第5088464号公报(B)

在相变型光盘中，随着记录密度的增加，记录凹洞或轨距的微细化发展，对异物混入的管理变得严格。因此，在用于相变型光盘的制造的氧化物溅射靶中，要求颗粒物不易飞散。

然而，在专利文献2中记载的氧化物溅射靶的制造方法中，有时在烧成成型体时烧成气氛中的氧不足。若在烧成气氛中的氧不足的状态下，烧成成型体，则所获得的氧化物溅射靶内的氧浓度变得不均匀。而且，明确了如下内容：若氧化物溅射靶的靶面内的氧浓度的偏差变大，则靶面内的电阻率变得不均匀，会因电位集中在特定部位而在溅射中产生异常放电，且因该异常放电而产生颗粒物飞散的问题。

发明内容

本发明鉴于上述情况而完成，其目的在于提供一种能够抑制溅射中的异常放电的产生及颗粒物飞散的氧化物溅射靶、以及该氧化物溅射靶的制造方法。

为了解决上述课题，本发明的氧化物溅射靶的特征在于，由作为金属成分含有锆、硅及铟的氧化物组成，靶面内的氧浓度的最大值与最小值之差相对于所述氧浓度的最大值与最小值的合计的比率为15％以下。

根据设为这种结构的本发明的氧化物溅射靶，由于靶面内的氧浓度的最大值与最小值满足上述关系，靶面内的氧浓度的偏差得到抑制。因此，靶面内的氧浓度的均匀性高，靶面内的电阻率变均匀，因此溅射中的异常放电得到抑制，随之抑制颗粒物的产生。

其中，在本发明的氧化物溅射靶中，优选靶面内的电阻率的最大值与最小值之差相对于所述电阻率的最大值与最小值的合计的比率为15％以下。

此时，靶面内的电阻率的偏差被控制在上述范围内，因此进一步抑制溅射中的异常放电，随之可靠地抑制颗粒物的产生。

本发明的氧化物溅射靶的制造方法的特征在于，为制造上述氧化物溅射靶的方法，该方法具备如下工序：混合氧化锆粉末、二氧化硅粉末及氧化铟粉末而获得比表面积为11.5m²/g以上且13.5m²/g以下的混合粉末；将所述混合粉末成型而获得成型体；一边使氧在烧成装置内流通，一边将所述成型体以1300℃以上且1600℃以下的温度进行烧成而生成烧结体；及一边使氧在所述烧成装置内流通，一边以200℃/小时以下的冷却速度将所述烧结体冷却至至少成为600℃以下的温度。