[发明专利]物理不可克隆函数PUF装置有效

专利信息
申请号: 201880001101.7 申请日: 2018-08-10
公开(公告)号: CN111201533B 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 王文轩;沈健;李运宁 申请(专利权)人: 深圳市为通博科技有限责任公司
主分类号: G06F21/72 分类号: G06F21/72
代理公司: 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 代理人: 韩狄;毛威
地址: 518052 广东省深圳市南山区南头*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 物理 不可 克隆 函数 puf 装置
【权利要求书】:

1.一种物理不可克隆函数PUF装置,其特征在于,包括:

至少一个处理单元;和

至少一个PUF单元,所述至少一个PUF单元中的第一PUF单元包括:

第一MOS管,包括第一源极、第一栅极和第一漏极;和

第二MOS管,包括第二源极、第二栅极和第二漏极,

所述第一源极与所述第二源极连接相同的输入电压,

所述第一栅极与所述第二栅极浮空,

所述第一漏极以及所述第二漏极与所述至少一个处理单元中的第一处理单元连接,其中,所述第一处理单元用于:

在所述输入电压的绝对值大于或者等于预设电压时,根据所述第一漏极输出的第一结果与所述第二漏极输出的第二结果之间的差异,输出与所述第一PUF单元对应的第一随机值。

2.根据权利要求1所述的PUF装置,其特征在于,所述第一MOS管和第二MOS管为仅存在加工差异的结构相同的MOS管。

3.根据权利要求1或2所述的PUF装置,其特征在于,所述第一MOS管和第二MOS管共用同一个源极。

4.根据权利要求1所述的PUF装置,其特征在于,所述至少一个处理单元用于:

输出与所述至少一个PUF单元对应的随机序列,所述随机序列包括与所述至少一个PUF单元一一对应的至少一个随机值。

5.根据权利要求1所述的PUF装置,其特征在于,所述PUF装置还包括至少一个选通单元,

所述至少一个选通单元中与所述第一PUF单元对应的第一选通单元用于控制所述第一PUF单元的状态。

6.根据权利要求5所述的PUF装置,其特征在于,所述PUF装置还包括:至少一个控制单元,

所述至少一个控制单元中的第一控制单元用于控制对应的所述第一选通单元的连通与断开,其中,所述第一选通单元连通时,所述第一PUF单元处于选通状态,所述第一选通单元断开时,所述第一PUF单元处于断开状态。

7.根据权利要求5或6所述的PUF装置,其特征在于,所述第一选通单元为第三MOS管。

8.根据权利要求7所述的PUF装置,其特征在于,所述至少一个PUF单元为n*m的PUF单元阵列,所述至少一个选通单元为n*m的第三MOS管阵列,

每列的n个第三MOS管的第一端电连接,每行的m个第三MOS管的第二端电连接,每个第三MOS管的第三端与对应的PUF单元包括的两个MOS管的两个源极电连接,其中,第j列的第一端输入第一电压且第i行的第二端输入第二电压时,第i行第j列的第三MOS管连通,n和m为正整数,i=1,2,……,n,j=1,2,……,m。

9.根据权利要求8所述的PUF装置,其特征在于,所述第一端为所述第三MOS管的栅极,所述第二端为所述第三MOS管的源极或漏极;或

所述第一端为所述第三MOS管的源极或漏极,所述第二端为所述第三MOS管的栅极。

10.根据权利要求1所述的PUF装置,其特征在于,所述第一处理单元包括比较器,

所述比较器用于:比较所述第一结果和所述第二结果之间的差异,并输出所述第一随机值。

11.根据权利要求10所述的PUF装置,其特征在于,所述至少一个PUF单元为n*m的PUF单元阵列,n和m为正整数,同一行或同一列的PUF单元连接同一比较器。

12.根据权利要求10或11所述的PUF装置,其特征在于,所述比较器用于:

若所述第一结果大于所述第二结果,输出所述第一随机值为第一数值;

若所述第一结果小于所述第二结果,输出所述第一随机值为第二数值。

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