[发明专利]用于提供公共电极电压的电路、显示面板及其驱动电路有效
申请号: | 201880000646.6 | 申请日: | 2018-06-12 |
公开(公告)号: | CN110914896B | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 雷嗣军;陆旭;侯帅;伏思庆;龙永;张英;陈善彬;曾凡建;许志财;谭森;刘兴洪;陈祥超;李云松;陈鑫;耿玉旭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 刘悦晗;姜春咸 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 提供 公共 电极 电压 电路 显示 面板 及其 驱动 | ||
本申请公开了一种用于提供温度相关公共电极电压的电路、显示面板及其驱动电路。所述用于提供温度相关公共电极电压的电路包括:感测子电路,其在电源端与接地端之间耦接并且构造为产生第一电压以控制开关子电路将所述电源端连接至第一节点。所述电路还包括:补偿子电路,其在第一节点与接地端之间耦接,并且当第一电压随着温度增加到阈值温度之上而减小到阈值之下时使能,从而将与温度成比例的温度相关第二电压输出至第二节点。此外,所述电路包括:输出子电路,其与第二节点以及第一输入电压端耦接并且还与第二输入电压端耦接,以基于温度相关第二电压、第一输入电压和第二输入电压的加权混合来产生温度相关输出电压。
技术领域
本发明涉及显示技术,更具体地,涉及一种用于提供温度相关公共电极电压的电路、显示面板及其驱动电路。
背景技术
由于高温条件下操作的TFT液晶显示(TFT LCD)面板中的薄膜晶体管(TFT)特性(比如电荷迁移率)的温度相关(temperature-dependent)漂移,随着温度升高在液晶层中累积更多的离子杂质。这些离子杂质在TFT LCD显示面板的公共背板节点处引起有效电压。该有效电压干扰了像素驱动信号。此外,离子杂质电压的DC分量直接导致离子杂质随着温度升高而定向漂移,导致高温下TFT LCD的所谓图像粘连效应(image sticking effect)。期望利用改进电路和方法来最小化图像粘连效应的方案。
发明内容
在一方面,本公开提供了一种用于提供温度相关公共电极电压的电路。所述电路包括在电源端和接地端之间耦接的感测子电路,其构造为产生第一电压。此外,所述电路包括开关子电路,其构造为在第一电压的控制下将电源端连接至第一节点。此外,所述电路包括在第一节点和接地端之间耦接的补偿子电路,其当第一电压随着温度增加到阈值温度之上而减小到阈值之下时使能,从而将第二电压输出至第二节点,第二电压与温度成比例。此外,所述电路包括输出子电路,其与接收第二电压的第二节点以及供应第一输入电压的第一输入电压端耦接并且还与供应第二输入电压的第二输入电压端耦接,以基于第二电压、第一输入电压和第二输入电压的加权混合来产生温度相关输出电压。
可选地,感测子电路至少包括电源端和接地端之间的经由连接节点串联连接的热敏电阻器和第二电阻器。
可选地,热敏电阻器的特征在于随着温度增加而电阻增加的正温度系数。在连接节点处利用来自电源端的电源电压的一部分提供第一电压。该一部分随着温度增加直到最大操作温度而减小。
可选地,开关子电路包括p沟道MOS晶体管,其具有与连接节点耦接的栅极、与电源端耦接以接收正电压的漏极、以及与第一节点耦接的源极。
可选地,当第一电压与电源电压之间的差等于或小于p沟道MOS晶体管的阈值电压时,p沟道MOS晶体管切换至导通状态。
可选地,补偿子电路包括以线性状态构造的第一运算放大器,其具有分别与第三节点和第四节点耦接的一对输入电压端口和与第一节点耦接的输出端口,其中第三节点和第四节点处于虚短路状态。补偿子电路还包括第一MOS晶体管,其具有与第一节点耦接的漏极、与第一偏置端耦接的栅极、以及与第三节点耦接的源极。此外,补偿子电路包括第二MOS晶体管,其具有与第一节点耦接的漏极、与第二偏置端耦接的栅极、以及与第四节点耦接的源极。补偿子电路还包括与第四节点耦接的第三电阻器。此外,补偿子电路包括第三MOS晶体管,其具有与第一节点耦接的漏极、与第二偏置端耦接以接收第二偏置电压的栅极、以及与第二节点耦接的源极。补偿子电路还包括与第二节点和接地端耦接的第四电阻器。补偿子电路还包括第一双极型晶体管,其具有共同地耦接至第三节点的集电极和基极以及耦接至接地端的发射极,其中,第一双极型晶体管的特征在于第一饱和电流。此外,补偿子电路包括第二双极型晶体管,其具有共同地耦接至第三电阻器的集电极和基极以及耦接至接地端的发射极。第二双极型晶体管的特征在于第二饱和电流,所述第二饱和电流等于第一饱和电流的1/n。这里,n为常数。
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