[实用新型]一种真空干燥装置

说明书

本实用新型实施例提供了一种真空干燥装置，该真空干燥装置腔体，所述腔体上设置有排气孔和进气孔；抽真空机构，与所述腔体的排气孔连接，用于对所述腔体抽真空；充气机构，与所述腔体的进气孔连接，用于对所述腔体补充惰性气体；位于所述腔体内的样品固定机构，用于固定待干燥样品；以及传感器，所述传感器的检测端位于所述腔体内，用于检测所述腔体内的压力大小、湿度大小和气体含量。本实用新型实施例能够使待干燥样品在特定的压力、湿度和气体含量的环境下进行干燥，从而在干燥过程中，防止环境中的水以及活性气体对待干燥样品的性能产生影响，并且在特定的压力环境下进行干燥，有利于提高待干燥样品的干燥速度。

技术领域

本实用新型涉及制备工艺技术领域，尤其涉及一种真空干燥装置。

背景技术

干燥是一种利用热能降低被干燥物中的水分，以使被干燥物变干的过程。通常，在干燥的过程中被干燥物中液体的成分汽化逸出，该湿的成分例如可以为水分或其他可挥发性液体成分，以获得规定湿的成分含量的被干燥物。干燥的目的是为了被干燥物的使用或进一步加工。

目前，通常采用一定干燥的方法除去被干燥物中液体的成分。例如，化合物半导体材料的外延生长时所采用的免清洗的衬底，由于该衬底的表面具有氧化层，不利于外延的生长，需对该衬底进行化学清洗，并干燥后才能生长外延薄膜。同时在生长外延薄膜的过程中，外延薄膜上会有不同程度的氧化，需进行脱氧的清洗，以提高外延薄膜的质量。例如以GaSb衬底的清洗干燥处理为例，在GaSb衬底表层几个纳米的氧化锑在高温脱氧过程中会与GaSb衬底反应而形成氧化镓与单质锑，从而造成衬底表层粗糙。然而，GaSb衬底脱氧不彻底，会大幅降低外延薄膜的晶体质量。通过采用有机物清洗和酸洗结合以减少GaSb衬底表层氧化物，经化学清洗后转移至外延设备进行脱氧处理，以改善不当脱氧造成的不利影响。但是，在向外延设备传递的过程中，会使清洗后的GaSb衬底再次被污染。现有技术中，通过采用高纯氮气吹干的方式，对清洗后的GaSb衬底进行干燥后，再转移至外延设备中。

但是，现有技术中GaSb衬底清洗后采用高纯氮气吹干的过程，会使得GaSb衬底被空气中的落尘沾污或颗粒污染，从而影响GaSb衬底的性能，进而降低外延薄膜的质量。

实用新型内容

本实用新型实施例的目的在于提供一种真空干燥装置，能够在干燥过程中，降低环境对待干燥样品性能的影响。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种真空干燥装置，包括：

腔体，所述腔体上设置有排气孔和进气孔；

抽真空机构，与所述腔体的排气孔连接，用于对所述腔体抽真空；

充气机构，与所述腔体的进气孔连接，用于对所述腔体补充惰性气体；

位于所述腔体内的样品固定机构，用于固定待干燥样品；

以及，传感器，所述传感器的检测端位于所述腔体内，用于检测所述腔体内的压力大小、湿度大小和气体含量。

作为上述真空干燥装置的一种优选方案，所述腔体包括：

开口壳体，所述排气孔设置于所述开口壳体上；

顶盖，所述顶盖一端与所述开口壳体的部分开口边缘转动连接；所述进气孔设置于所述顶盖上；

密封圈，位于所述开口壳体的开口边缘上；所述密封圈用于密封所述顶盖和所述开口壳体；

闭锁结构，用于将所述开口壳体和所述顶盖对接卡合。

作为上述真空干燥装置的一种优选方案，所述顶盖上还设置有透明观察窗；

作为上述真空干燥装置的一种优选方案，所述闭锁结构上设置有手柄。