[实用新型]一种电源接口防反插保护电路有效

专利信息
申请号: 201822238404.0 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN209786793U 公开(公告)日: 2019-12-13
发明(设计)人: 张有刚;侍启山 申请(专利权)人: 佳木斯市奥义智能科技有限公司
主分类号: H02H11/00 分类号: H02H11/00;H02H9/04
代理公司: 11541 北京卓唐知识产权代理有限公司 代理人: 唐海力
地址: 154000 黑龙*** 国省代码: 黑龙;23
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 分压电阻 并联 串联 电源正负 电阻 本实用新型 电源接口 负载回路 功耗增加 过流能力 开启电压 输入电压 大电流 防反插 正负极 导通 分压 管子 接反 温升 电路
【权利要求书】:

1.一种电源接口防反插保护电路,其特征在于,包括至少两个同类型的并联MOS管,串联的第一分压电阻R1和第二分压电阻R2;其中,所述串联的第一分压电阻R1和第二分压电阻R2连接于输入电压VDD和地DGND之间;第二分压电阻R2为所述至少两个同类型的并联MOS管的导通分压电阻,即第二分压电阻R2上得到的分压作为所述至少两个同类型的并联MOS管的开启电压;所述第一分压电阻R1和第二分压电阻R2之间的阻值关系满足其中Ugs(th)为所述至少两个同类型的并联MOS管中的MOS管导通开启阈值电压;所述至少两个同类型的并联MOS管串联于电源正负接口与负载构成的回路。

2.根据权利要求1所述的电源接口防反插保护电路,其特征在于,所述至少两个同类型的并联MOS管为至少两个并联的NMOS管。

3.根据权利要求1所述的电源接口防反插保护电路,其特征在于,所述至少两个同类型的并联MOS管为两个并联的NMOS管,包括第一NMOS管Q1和第二NMOS管Q2;所述第一分压电阻R1的一端接输入电压VDD,另一端与第二分压电阻R2的一端相连;所述第二分压电阻R2的另一端接地DGND;所述第一NMOS管Q1和第二NMOS管Q2的漏级相连接于电源正负接口的负极,源级相连接于第二分压电阻R2的另一端,栅极相连接于第一分压电阻R1和第二分压电阻R2之间。

4.根据权利要求1所述的电源接口防反插保护电路,其特征在于,还包括第一电容C1,与第二分压电阻R2并联。

5.根据权利要求1所述的电源接口防反插保护电路,其特征在于,还包括瞬态电压抑制器D1,并联于电源正负接口。

6.根据权利要求1所述的电源接口防反插保护电路,其特征在于,所述电源接口为电池接口。

7.根据权利要求1所述的电源接口防反插保护电路,其特征在于,所述输入电压为24V的输入电压。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳木斯市奥义智能科技有限公司,未经佳木斯市奥义智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201822238404.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top