[实用新型]一种基于GaAs pHEMT工艺的中频放大器

权利要求书

1.一种基于GaAs pHEMT工艺的中频放大器，其特征在于，包括：输入匹配单元、共源共栅放大单元、输出匹配单元和反馈单元；输入匹配单元、共源共栅放大单元和输出匹配单元依次相连，反馈单元设置在输入匹配单元和输出匹配单元之间。

2.如权利要求1所述的基于GaAs pHEMT工艺的中频放大器，其特征在于，输入匹配单元包括第一电感L1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C1、栅级供电电压Vg和第二电容C2；第一电感L1与第一电阻R1、第一电容C1、栅级供电电压Vg依次相连后接地，第二电阻R2并联在第一电阻R1和第一电容C1的两端，第三电阻R3的一端连接在第一电容C1与栅级供电电压Vg之间，另一端连接第二电容C2后接地。

3.如权利要求1所述的基于GaAs pHEMT工艺的中频放大器，其特征在于，共源共栅放大单元包括第一共源级放大晶体管PHEMT1、第二共栅级放大晶体管PHEMT2、第二电感L2、第四电阻R4和第三电容C3；第一共源级放大晶体管PHEMT1的源极直接接地，第一共源级放大晶体管PHEMT1的漏极连接第二电感L2后连接到第二共栅级放大晶体管PHEMT2的漏极，第四电阻R4与第三电容C3相连，一端连接在第二电感L2与第二共栅级放大晶体管PHEMT2的漏极的之间，另一端直接接地。

4.如权利要求1所述的基于GaAs pHEMT工艺的中频放大器，其特征在于，输出匹配单元包括第五电阻R5、第六电阻R6、第四电容C4和第五电容C5；第五电阻R5和第四电容C4相连，一端连接到第二共栅级放大晶体管PHEMT2的栅极，另一端直接接地；第六电阻R6和第五电容C5相连，一端连接到第二共栅级放大晶体管PHEMT2的源极与信号输出之间，另一端直接接地。

5.如权利要求1所述的基于GaAs pHEMT工艺的中频放大器，其特征在于，反馈单元包括第九电阻R9、第六电容C6和第三电感L3；第九电阻R9、第六电容C6和第三电感L3依次相连，一端连接在第一电感L1与第一共源级放大晶体管PHEMT1的栅极之间，另一端连接在第二共栅级放大晶体管PHEMT2的源极与第六电阻R6之间。

6.如权利要求1所述的基于GaAs pHEMT工艺的中频放大器，其特征在于，还设置有分压单元，包括第七电阻R7和第八电阻R8；第七电阻R7和第八电阻R8相串联，一端直接接地，另一端与第二共栅级放大晶体管PHEMT2的源极相连。