[实用新型]图像传感器像素

权利要求书

1.一种图像传感器像素，其特征在于，所述图像传感器像素被配置成响应于光而生成图像信号，所述图像传感器像素包括：

第一光敏区，所述第一光敏区被配置成响应于所述光而生成电荷；

第二光敏区，所述第二光敏区被配置成响应于所述光而生成电荷；和

浮动扩散区，所述浮动扩散区被配置成响应于所述光而生成电荷，其中所述浮动扩散区耦接到所述第一光敏区和所述第二光敏区，并且其中所述第一光敏区和所述第二光敏区关于所述浮动扩散区对称。

2.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中，所述图像传感器像素还包括：

具有相对的第一表面和第二表面的半导体衬底，其中所述第一光敏区和所述第二光敏区以及所述浮动扩散区从所述第一表面延伸到所述第二表面。

3.根据权利要求2所述的图像传感器像素，其中，所述图像传感器像素还包括：

覆盖所述第一光敏区、所述第二光敏区和所述浮动扩散区的微透镜。

4.根据权利要求3所述的图像传感器像素，其中，所述图像传感器像素还包括：

所述半导体衬底中的隔离结构，其中所述隔离结构插置在所述第一光敏区、所述第二光敏区和所述浮动扩散区之间，并且其中所述第一光敏区、所述第二光敏区和所述浮动扩散区未被所述隔离结构覆盖。

5.根据权利要求1所述的图像传感器像素，其中，所述图像传感器像素还包括：

耦接到所述浮动扩散区的双转换增益电容器，其中所述双转换增益电容器被配置成存储由所述浮动扩散区生成的溢出电荷。

6.根据权利要求5所述的图像传感器像素，其中，所述图像传感器像素还包括：

耦接在所述浮动扩散区和所述双转换增益电容器之间的增益选择晶体管，其中所述增益选择晶体管被配置成接通以将所述浮动扩散区电连接到所述双转换增益电容器并向所述浮动扩散区提供附加电容。

7.根据权利要求6所述的图像传感器像素，其中，所述图像传感器像素还包括：

耦接到所述浮动扩散区的列读出电路，其中所述列读出电路被配置成读出由所述浮动扩散区以及所述第一光敏区和所述第二光敏区生成的电荷，其中所述增益选择晶体管被配置成在由所述浮动扩散区生成的电荷被读出时接通，并且其中所述增益选择晶体管被配置成在由所述第一光敏区和所述第二光敏区生成的电荷被读出时断开。

8.一种图像传感器像素，其特征在于，所述图像传感器像素包括：

具有相对的第一表面和第二表面的半导体衬底；

所述半导体衬底中的从所述第一表面朝向所述第二表面延伸并具有第一高度的第一光敏区；

所述半导体衬底中的从所述第一表面朝向所述第二表面延伸并具有第二高度的第二光敏区；

所述半导体衬底中的耦接到所述第一光敏区和所述第二光敏区的浮动扩散区，其中所述浮动扩散区从所述第一表面朝向所述第二表面延伸并具有第三高度，其中所述第三高度在所述第一高度的20％之内，并且所述第三高度在所述第二高度的20％之内。

9.根据权利要求8所述的图像传感器像素，其中，所述图像传感器像素还包括：

覆盖所述第一光敏区、所述第二光敏区和所述浮动扩散区的微透镜。

10.根据权利要求8所述的图像传感器像素，其中，所述第一光敏区、所述第二光敏区和所述浮动扩散区各自为所述半导体衬底的n型掺杂区，并且其中所述第一光敏区、所述第二光敏区和所述浮动扩散区从所述第一表面延伸到所述第二表面的1微米内。