[实用新型]一种可产生启动成功标志信号的带隙基准电路有效
| 申请号： | 201822133914.1 | 申请日： | 2018-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN209103179U | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 曹宏涛;张弛;程亚宇;余佳 | 申请（专利权）人： | 深圳贝特莱电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 漏极 源极 标志信号 启动成功 带隙基准电路 电平转换电路 本实用新型 栅极连接 结点 带隙基准单元 源极均接地 电路性能 开关控制 启动信号 电源端 输出端 | ||
1.一种可产生启动成功标志信号的带隙基准电路，其特征在于，包括有带隙基准单元(1)和电平转换电路(2)，所述电平转换电路(2)包括有PMOS管M6、PMOS管M7、NMOS管M8、NMOS管M9、NMOS管M10和NMOS管M11，所述带隙基准单元(1)包括有启动信号结点start、开关控制结点Vbp和基准电压输出端Vref，所述PMOS管M6的源极和PMOS管M7的源极均连接于电源端VDD，所述PMOS管M6的栅极连接于开关控制结点Vbp，所述PMOS管M7的栅极连接于启动信号结点start，所述NMOS管M10的漏极、所述NMOS管M10的栅极和所述NMOS管M8的栅极均连接于所述PMOS管M7的漏极，所述NMOS管M11的漏极、所述NMOS管M11的栅极和所述NMOS管M9的栅极均连接于所述PMOS管M6的漏极，所述NMOS管M10的源极与所述NMOS管M9的漏极相连接，所述NMOS管M11的源极与所述NMOS管M8的漏极相连接，所述NMOS管M9的源极和所述NMOS管M8的源极均接地，所述PMOS管M6的漏极作为启动成功标志信号输出端VBPOK。
2.如权利要求1所述的可产生启动成功标志信号的带隙基准电路，其特征在于，包括有MOS电容器M18，所述MOS电容器M18的漏极和源极均接地，所述MOS电容器M18的栅极连接于所述启动信号结点start。
3.如权利要求1所述的可产生启动成功标志信号的带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准单元(1)是包括有运算放大器OP1的带隙基准电路。
4.如权利要求1所述的可产生启动成功标志信号的带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准单元(1)是不含有运算放大器的带隙基准电路。
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