[实用新型]一种基于半桥斩波调幅的高频高压电源有效

专利信息
申请号: 201822113442.3 申请日: 2018-12-15
公开(公告)号: CN209200954U 公开(公告)日: 2019-08-02
发明(设计)人: 蒋云峰;张海峰;冀云江;谭瑞声 申请(专利权)人: 大连蓝乔电子科技有限公司
主分类号: H02M7/219 分类号: H02M7/219;H02M1/42;H02M3/335
代理公司: 大连至诚专利代理事务所(特殊普通合伙) 21242 代理人: 杨威;张海燕
地址: 116000 辽宁省大连市高新技*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 高频逆变单元 直流母线电压 变压器单元 谐振 调幅单元 高频整流 直流变换单元 电源输出单元 高频高压电源 本实用新型 调幅 控制器 半桥 斩波 功率因素校正 输出端连接 输入端连接 电源系统 功率因数 可靠运行 输出端 交流 市电 保证
【权利要求书】:

1.一种基于半桥斩波调幅的高频高压电源,其特征在于,包括:

具备功率因素校正的交流-直流变换单元、直流母线电压调幅单元、高频逆变单元、谐振高频整流变压器以及控制器;

所述交流-直流变换单元输入端连接市电,输出端连接所述直流母线电压调幅单元,所述直流母线电压调幅单元另一端与所述高频逆变单元连接,所述高频逆变单元输出端与所述谐振高频整流变压器单元连接,所述谐振高频整流变压器单元另一端与所述电源输出单元连接,所述控制器分别与所述交流-直流变换单元、所述直流母线电压调幅单元、所述高频逆变单元以及所述谐振高频整流变压器单元连接;

所述具备功率因素校正的交流-直流变换单元,包括:

三相输入主空气开关、整流预充电电路、主接触器、三相整流桥、功率因数校正电路;

所述三相输入主空气开关一端连接市电,另一端连接并联的整流预充电电路和主接触器的输入端,并联的整流预充电电路和主接触器输出端与所述三相整流桥连接,所述三相整流桥输出端与所述功率因数校正电路连接。

2.根据权利要求1所述的高频高压电源,其特征在于,所述直流母线电压调幅单元,包括:

直流母线预充电电路、半桥斩波电路、半桥斩波IGBT吸收电路及所述半桥斩波电路的第一驱动电路DR1,所述半桥斩波电路包括:第一半桥IGBT和第二半桥IGBTV0、斩波电感LX2、滤波电容CX1;

所述直流母线预充电电路的输入端分别与连接功率因数校正电路的输出端、第一半桥IGBT的集电极连接,所述第一半桥IGBT的集电极还与所述吸收电路的一端连接,所述直流母线预充电电路的输出端与所述第一半桥IGBT的发射极连接,所述第二半桥IGBT的发射极还与所述吸收电路的另一端、第一IGBT的集电极连接,所述斩波电感与所述滤波电容串联后与所述第二半桥IGBT的集电极和发射极并联,所述第一半桥IGBT与所述第二半桥IGBT的栅极与所述第一驱动电路连接。

3.根据权利要求1所述的高频高压电源,其特征在于,所述高频逆变电路包括:

第三IGBT、第四IGBT、第五IGBT、第六IGBT、第二驱动电路DR2和第三驱动电路DR3;

所述第三IGBT的发射极与所述第四IGBT的集电极串联后与谐振高频整流变压器单元连接,所述第五IGBT的发射极与所述第六IGBT的集电极串联后与所述谐振高频整流变压器单元连接,所述第三IGBT的集电极与第五IGBT的集电极连接,所述第四IGBT的发射极与第六IGBT的发射极连接。

4.根据权利要求1所述的高频高压电源,其特征在于,所述谐振高频整流变压器,包括:

电容CXB、高频升压变压器、高频整流桥、输出分压电阻R6、分压电阻R7、输出电流电阻R5和阻尼电阻RZ;

所述电容CXB的一端与高频逆变电路连接,另一端与所述高频升压变压器原边连接,所述高频升压变压器原边另一端与所述高频逆变电路连接,所述高频升压变压器的副边与所述高频整流桥输入端连接,所述高频整流桥的输出端与所述分压电阻R6、分压电阻R7、输出电流电阻R5连接,所述分压电阻R6还与阻尼电阻RZ一端连接,所述阻尼电阻RZ的另一端连接负载。

5.根据权利要求1所述的高频高压电源,其特征在于,还包括:

输入和显示控制参数的触摸屏和调控参数的远程控制器,所述触摸屏、远程控制器与所述控制器连接。

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