[实用新型]一种SiC MOSFET二类短路电流抑制电路

权利要求书

1.一种SiC MOSFET二类短路电流抑制电路，其特征在于，包括：逻辑电路，推挽放大器，栅压切换电路以及栅压检测电路，其中：

所述逻辑电路，用于实现开关信号与反馈信号的逻辑组合，控制栅极驱动电压电路的通断；

所述推挽放大器，用于向待测器件栅极提供正常开通和关断的驱动电压；

所述栅压切换电路，用于在发生二类短路过程中将栅极驱动电压切换至较小值，从而抑制短路电流；

所述栅压检测电路，用于检测二类短路故障时的栅极电压尖峰，产生切换栅极驱动电压的逻辑信号。

2.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET二类短路电流抑制电路，其特征在于，所述逻辑电路采用与、非门搭建模拟电路实现逻辑控制，包括第一与非门G_NAND1、第二与非门G_NAND2，第一非门G_INV1和第二非门G_INV2；其中，驱动开关信号PWM与G_INV1的输入端、G_NAND1的第一输入端、G_NAND2的第一输入端相连，G_NAND1的输出端与G_NAND2的第二输入端相连。

3.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET二类短路电流抑制电路，其特征在于，所述推挽放大器包括栅极电阻R_GON1、栅极电阻R_GOFF、P型MOSFET M₁、N型MOSFET M₂；其中，M₁的漏极与R_GON1的一端相连，M₁的源极与正电源V_CC1相连，M₁的栅极与G_NAND2的输出端相连，M₂的漏极与R_GOFF的一端相连，M₂的源极与负电源VEE相连，M₂的栅极与G_INV1的输出端相连。

4.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET二类短路电流抑制电路，其特征在于，所述栅压切换电路包括二极管D₁、栅极电阻R_GON2、N型MOSFET M₃；其中，D₁的阴极与R_GON2的一端相连，R_GON2的另一端与M₃的漏极相连，M₃的源极与正电源V_CC2相连，M₃的栅极与G_NAND1的第二输入端、G_INV2的输出端相连。

5.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET二类短路电流抑制电路，其特征在于，所述栅压切换电路中的正电源V_CC2低于推挽放大器中的正电源V_CC1，同时正电源V_CC2要高于待测SiCMOSFET栅极阈值电压V_th。

6.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET二类短路电流抑制电路，其特征在于，所述栅压检测电路采用滞环比较器。