[实用新型]一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜有效
| 申请号： | 201821896166.6 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN209168759U | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 顾宏伟;戚芬强;冀月田 | 申请（专利权）人： | 顾氏纳米科技（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 殷海霞 |
| 地址： | 313000 浙江省湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 银纳米线 本实用新型 透明导电氧化物层 复合透明导电膜 透明导电氧化物 保护层 导电膜 衬底 高化学稳定性 光学技术领域 透明导电涂层 透明导电层 高耐磨性 匹配性 透过率 方阻 附着 高光 | ||
1.一种银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，依次包括：包括一种衬底、附着衬底上的银纳米线透明导电涂层、保护层、透明导电氧化物层。
2.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的衬底为高分子塑料。
3.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，厚度为20-500微米。
4.根据权利要求2所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的高分子塑料为PET、PP、PE、PI或PC。
5.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的银纳米线透明导电涂层厚度为10-500nm。
6.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的保护层为树脂。
7.根据权利要求6所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的保护层的厚度为5-5000nm。
8.根据权利要求6所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的树脂为聚氨酯、丙烯酸树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂中的一种。
9.根据权利要求1所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的透明导电氧化物为SnO2、InO、CdO、ZnO及其掺杂体系SnO2:F、SnO2:Sb、In2O3:Sn、ZnO:Al、ZnO:F中的一种。
10.根据权利要求9所述的银纳米线和透明导电氧化物复合透明导电膜，其特征在于，所述的透明导电氧化物导电膜的厚度为2-500nm。
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