[实用新型]一种抛光台温度控制装置

说明书

本实用新型涉及一种抛光台温度控制装置，包括恒温热水箱和恒温冷水箱，所述恒温热水箱和恒温冷水箱通过引流泵与电磁三通调节阀相连接，所述电磁三通调节阀通过混合缓冲箱与抛光台的进水口相连接，所述抛光台的出水口通过回水温度传感器与回水箱相连接；所述抛光台的上部设置有辐射温度传感器；所述恒温热水箱和恒温冷水箱内设置有热交换器和混合搅拌器，所述恒温热水箱和恒温冷水箱的上部和下部分别设置有上温度传感器、下温度传感器。本实用新型能够对抛光台的温度进行精确的控制，将抛光台的工作温度长时间控制在合理范围内，不会产生温度波动，大大保证了抛光质量。

技术领域

本实用新型属于化学机械抛光设备技术领域，特别涉及一种抛光台温度控制装置。

背景技术

CMP(Chemical Mechanical Planarization)的加工过程，是对晶圆表面进行平坦化的过程，要对AL、Cu、W、STI氧化层及Low-k等材料进行抛光加工。由于抛光机理是通过化学作用后，对抛除材料形成络合物，后对络合物进行机械作用去除。所以化学作用是抛光过程中的重要作用。目前在抛光过程中采用的抛光液是分别加入了纳米级磨料的酸性或碱性的化学液体。在化学反应过程中具有热量的释放，从而造成温度的上升。

抛光台上基板表面的抛光率不仅受到抛光面上接触压力的影响，还受到抛光面温度、供应的浆体浓度等的影响。抛光温度是影响半导体晶圆抛光速率与质量的一个重要参数。目前的抛光台温度控制装置对抛光台的温度控制不够精确，不能长时间将抛光温度稳定在合理的范围内，由此造成抛光的质量也不够稳定。

实用新型内容

有鉴于此，为了解决上述问题，本实用新型提供一种抛光台温度控制装置，能够对抛光台的温度进行精确的控制，将抛光台的工作温度长时间控制在合理范围内，不会产生温度波动，大大保证了抛光质量。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种抛光台温度控制装置，包括恒温热水箱和恒温冷水箱，所述恒温热水箱和恒温冷水箱通过引流泵与电磁三通调节阀相连接，所述电磁三通调节阀通过混合缓冲箱与抛光台的进水口相连接，所述抛光台的出水口通过回水温度传感器与回水箱相连接；所述抛光台的上部设置有辐射温度传感器；

所述恒温热水箱和恒温冷水箱内设置有热交换器和混合搅拌器，所述恒温热水箱和恒温冷水箱的上部和下部分别设置有上温度传感器、下温度传感器，还包括控制器，所述电磁三通调节阀、引流泵、回水温度传感器、辐射温度传感器、上温度传感器、下温度传感器、混合搅拌器分别与所述控制器相连接。

进一步地，所述混合缓冲箱与抛光台的进水口之间还设置有第一开关阀，所述混合缓冲箱与第一开关阀之间还通过旁通管与回水箱相连接，所述旁通管上设置有第二开关阀。

进一步地，所述抛光台上设置有抛光垫，所述抛光垫上部设置有抛光液喷嘴。

进一步地，所述回水箱通过回水电磁三通调节阀分别与所述恒温热水箱和恒温冷水箱相连接。

进一步地，所述恒温热水箱和恒温冷水箱上还分别设置有补水口，所述所述恒温热水箱和恒温冷水箱内分别设置有水位计。

进一步地，所述恒温热水箱和恒温冷水箱外部分别设置有保温层。

另外，在本实用新型所述技术方案中，凡未做特别说明的，均可采用本领域中的常规手段来实现本技术方案。