[实用新型]离子阱用基座、离子阱有效
申请号: | 201821724000.6 | 申请日: | 2018-10-23 |
公开(公告)号: | CN208889606U | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 钟蠡;吴定柱;刘兴宝;雷天才;蒋家东;潘晓斌 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所 |
主分类号: | H01J49/42 | 分类号: | H01J49/42 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 高俊 |
地址: | 621000*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双曲面 离子阱 基座本体 槽体 极杆 四极杆 加工 通孔 本实用新型 产品成品率 线性离子阱 一体化加工 单独加工 环形均布 加工效率 通孔孔壁 通孔轴线 装配过程 条形槽 圆形孔 孔壁 条槽 贯通 | ||
1.离子阱用基座,该基座用于双曲面线性离子阱,所述基座包括基座本体(1)及设置在基座本体(1)上的通孔(4),其特征在于,所述通孔(4)为圆形孔;
还包括设置于所述通孔(4)孔壁上的槽体(3),所述槽体(3)的数量为四条,且槽体(3)均为长度方向沿着所述通孔(4)轴线方向的条形槽,且四条槽体(3)环形均布于所述孔壁上;
各槽体(3)均贯通基座本体(1)的两端。
2.根据权利要求1所述的离子阱用基座,其特征在于,各槽体(3)的槽面均为光滑面。
3.离子阱,包括基座及固定于基座上的四根双曲面极杆(2),其特征在于,所述基座为权利要求1至2中任意一项所提供的基座,四根双曲面极杆(2)环形均布于所述通孔(4)中,且任意相邻的两双曲面极杆(2)之间均具有一槽体(3);
各双曲面极杆(2)的外侧面均为等径圆弧面,且四个等径圆弧面各自所对半径值相等。
4.根据权利要求3所述的离子阱,其特征在于,各双曲面极杆(2)的外侧面与通孔(4)的孔壁之间均具有间隙,所述间隙的宽度值数值范围为:0.01~0.03mm。
5.根据权利要求3所述的离子阱,其特征在于,各双曲面极杆(2)均通过螺钉与基座本体(1)固定连接。
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