[实用新型]一种四通道微波T/R组件

权利要求书

1.一种四通道微波T/R组件，是组成相同的四个独立的T/R通道合一的共腔体结构，包括将四个独立的T/R通道并联连接的四功分网络，全部组成件都是单片微波集成电路MMIC，集成制作在同一块多层电路基板上，采用多芯片组件MCM技术实现MMIC多芯片互连，四个独立的T/R通道分别提供独立的幅度和相位控制，分别包括发送与接收共用的微波器件，其特征在于：

所述微波器件是集成有发送与接收共用的六位放大器补偿移相器、六位衰减器、工作状态开关、限幅低噪声放大器以及用于控制移相、衰减和开关的驱动器的多功能MMIC裸芯片；

所述多层电路基板是高温共烧陶瓷HTCC多层电路基板。

2.如权利要求1所述的四通道微波T/R组件，其特征在于：

所述微波器件是中国电子科技集团公司第十三研究所出品的型号为NC15318C-812PD的多功能MMIC裸芯片。

3.如权利要求1或2所述的四通道微波T/R组件，其特征在于：

所述HTCC多层电路基板是至少为8层的HTCC多层电路基板。

4.如权利要求3所述的四通道微波T/R组件，其特征在于：

所述HTCC多层电路基板是18层的HTCC多层电路基板。

5.如权利要求4所述的四通道微波T/R组件，其特征在于：

所述HTCC多层电路基板是由92%~96%氧化铝陶瓷外加4%~8%烧结助剂在温度1500℃~1700℃下烧结而成的HTCC多层电路基板，其介电常数为9~9.8，每一层生胚材料的厚度为0.025mm~0.100mm，损耗角的正切值为0.2%~0.3%；

所述HTCC多层电路基板的表层至第7层的表面集成控制信号和电源信号，第8层至第18层的表面集成微波信号、控制信号和电源信号，其中第9层的表面和第18层的背面是大面积接地层。

6.如权利要求1所述的四通道微波T/R组件，其特征在于：

还包括驱动控制芯片、电源模块，以及末级功放组件、环形器隔离器组件、限幅低噪声放大器芯片、发射电源调制器芯片、接收电源调制器芯片、耦合组件。

7.如权利要求6所述的四通道微波T/R组件，其特征在于：

所述控制芯片是中国电子科技集团公司第五十八研究所出品的型号为NC2059-1C的专用集成电路ASIC裸芯片；

所述电源模块包括直流电源模块和高峰值功率的脉冲电源模块；

所述末级功放组件是中国电子科技集团公司第十三研究所出品的型号为BW1164的功放组件；

所述环形器隔离器组件是株洲华毅微波技术科技有限公司出品的型号为HHW5048S的环形器隔离器组件；

所述限幅低噪声放大器芯片是中国电子科技集团公司第十三研究所出品的型号为BW2661的限幅低噪声放大器裸芯片；

所述发射电源调制器芯片是中国电子科技集团公司第五十八研究所出品的型号为JS2318的硅基MOS电源调制器裸芯片；

所述接收电源调制器芯片是中国电子科技集团公司第五十八研究所出品的型号为JS1111的硅基MOS电源调制器裸芯片；

所述耦合组件是两个分别包括二合一合成器、一分二功分器和检波电路的后端天线单元。

8.如权利要求1所述的四通道微波T/R组件，其特征在于：

所述共腔体结构，包括盖板、围框、底板，以及射频连接器和低频连接器。

9.如权利要求8所述的四通道微波T/R组件，其特征在于：

所述盖板和围框采用铝硅材料封装；

所述底板是铝基碳化硅底板；

所述射频连接器，包括T/R通道连接器、两只耦合通道连接器和射频总口连接器，是气密SSMA射频连接器，并通过焊接与围框固定；

所述低频连接器，包括低频输入连接器和电源输入连接器，是气密型微矩形低频连接器。

10.如权利要求1所述的四通道微波T/R组件，其特征在于：

所述微波T/R组件是X波段T/R组件，所述X波段是符合IEEE 521-2002标准的频率为8GHz～12 GHz的无线电波波段。