[实用新型]一种多晶硅铸锭炉用石墨角接器有效

专利信息
申请号: 201821559659.0 申请日: 2018-09-25
公开(公告)号: CN209162245U 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: 明亮;段金刚;黄美玲;喻鹏辉;黄俊;刘福钢 申请(专利权)人: 湖南红太阳光电科技有限公司
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 代理人: 周长清;戴玲
地址: 410205 湖南省*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 多晶硅铸锭炉 侧部加热器 安装孔 角接器 连接臂 本实用新型 石墨横梁 石墨 高度方向调节 高度可调节 温度场分布 装料 侧加热器 竖向设置 铸锭炉 拆装 两套 坩埚 熔铸
【说明书】:

实用新型公开了一种多晶硅铸锭炉用石墨角接器,包括石墨横梁和连接臂,连接臂竖向设置,并与石墨横梁连接形成L形结构,连接臂上设有至少两列安装孔,安装孔用于安装多晶硅铸锭炉的侧部加热器,每列安装孔从上至少设置多个以使侧部加热器的高度可调节。本实用新型可以根据装料高度的不同,选择不同的孔安装侧加热器,侧部加热器可以沿着铸锭炉内坩埚的高度方向调节,可满足全熔和半熔铸锭工艺切换,从而可以更好地调整温度场分布,避免了现有技术中采用两套角接器带来的拆装麻烦的问题。

技术领域

本实用新型涉及多晶硅铸制备,尤其涉及一种多晶硅铸锭炉用石墨角接器。

背景技术

铸锭多晶硅主要基于材料学的晶体形核与长大以及定向凝固原理。一般来说,多晶硅铸锭的制备方法分为同质籽晶外延生长制备工艺与异质籽晶辅助生长制备工艺,也称半熔多晶铸锭工艺与全熔多晶铸锭工艺。

全熔高效多晶铸锭工艺主要的特点是将非硅/含硅材料等形核物质固定在石英坩埚底部,用做在硅晶体生长初期提供引晶点。其关键点是硅料全部熔化后,要利用高温对氮化硅涂层和形核物质进行有力的侵蚀,使形核物局部熔化后起到引晶点的作用。半熔高效多晶铸锭工艺主要的特点是将晶体硅碎料等籽晶物质铺设于石英坩埚底部,充当晶体生长初期的籽晶。其关键点是在熔化过程中,坩埚底部需要保持较低的温度,保证一定高度的籽晶物质存留,起到引晶的作用。

由于全熔和半熔铸锭对坩埚底部温度的要求不同,全熔多晶铸锭需要将铸锭炉侧加热器往下放,接近坩埚底部位置,从而是坩埚底部温度升高。半熔多晶铸锭需要将铸锭炉侧加热器往上放,远离坩埚位置,保持坩埚底部较低的温度。因此,如果需要在两种工艺间切换,需要准备两套石墨角接器,拆装过程比较费时费力。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种侧部加热器可以沿着铸锭炉内坩埚的高度方向调节、以满足全熔和半熔铸锭工艺切换的多晶硅铸锭炉用石墨角接器。

为解决上述技术问题,本实用新型采用以下技术方案:

一种多晶硅铸锭炉用石墨角接器,包括石墨横梁和连接臂,所述连接臂竖向设置,并与石墨横梁连接形成L形结构,所述连接臂上设有至少两列安装孔,所述安装孔用于安装多晶硅铸锭炉的侧部加热器,每列安装孔从上至少设置多个以使侧部加热器的高度可调节。

作为上述技术方案的进一步改进,优选的,每列安装孔中相邻两个安装孔之间的间距全部相同或全部不同或部分不同。

作为上述技术方案的进一步改进,优选的,每列安装孔中相邻两个安装孔之间的间距为20mm~80mm。

作为上述技术方案的进一步改进,优选的,所述安装孔为圆孔,其直径为8mm~20mm。

作为上述技术方案的进一步改进,优选的,所述安装孔为方孔。

作为上述技术方案的进一步改进,优选的,所述连接臂的长度为80mm~1000mm。

作为上述技术方案的进一步改进,优选的,所述连接臂的宽度为80mm~150mm。

作为上述技术方案的进一步改进,优选的,所述连接臂的厚度为5mm~50mm。

一种多晶硅铸锭炉用石墨角接器,包括石墨横梁和连接臂,所述连接臂竖向设置,并与石墨横梁连接形成L形结构,所述连接臂上设有至少两列安装孔,所述安装孔用于安装多晶硅铸锭炉的侧部加热器,每列安装孔从上至少设置多个以使侧部加热器的高度可调节,每列安装孔中相邻两个安装孔通过切槽连通,所述切槽的沿水平方向的宽度小于安装孔沿水平方向的宽度。

与现有技术相比,本实用新型的优点在于:

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