[实用新型]一种音频功率放大器

说明书

本实用新型提供一种音频功率放大器，该音频功率放大器包括：输入级电路、偏置电路、放大级电路、缓冲级电路以及输出级电路；其中，所述输出级电路设置为双NMOS管架构，由功率电源供电；所述缓冲级电路设置为PN架构。通过本实用新型提供的一种音频功率放大器，改变其组成电路的元器件结构以解决传统AB类音频功率放大器面积过大，制造成本过高的问题，在保持音质效果优质的同时也满足了现代社会人们对微小化、轻便化以及实惠化的需求。

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，具体涉及一种音频功率放大器。

背景技术

随着集成电路技术的发展，音频功率放大器在FM模式中越开越倾向于使用集成电路中的AB类音频功率放大器。AB类音频功率放大器有诸多的优点，除了设计结构简单外围元器件少其最主要的优点是抗干扰能力强，在使用过程中没有EMI干扰问题，音频经过放大后音质不会失真。也正因为AB 类音频功率放大器有如此显著的优越性，其在市场上有着不可替代的作用。

但是，随着科学技术的发展和进步，现有技术对芯片的成本、面积和功能要求越来越高，传统的AB类音频功率放大器也因此面临着面积过大可能会被淘汰的危险。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种音频功率放大器，解决了传统AB 类音频功率放大器面积过大，制造成本过高的问题。

为实现上述目的，本实用新型实施例提供如下技术方案：

一种音频功率放大器包括：输入级电路、偏置电路、放大级电路、缓冲级电路以及输出级电路；其中，输出级电路设置为双NMOS管架构，缓冲级电路设置为PN架构。

可选地，上述的音频功率放大器中，所述输出级电路由功率电源供电。

可选地，上述的音频功率放大器中，所述输出级电路包括：均为NMOS 管的第四十晶体管、第四十一晶体管、第四十二晶体管和第四十三晶体管；

其中，所述第四十晶体管的控制端与所述缓冲级电路的第一输出端口相连，所述第四十晶体管的第一端连接功率电源，第二端与所述第四十二晶体管的第一端相连，衬底连接所述第二端；所述第四十一晶体管的控制端与所述缓冲级电路的第二输出端口相连，所述第四十一晶体管的第一端连接所述功率电源，第二端与所述第四十三晶体管的第一端相连，衬底连接所述第二端；

所述第四十二晶体管的控制端与所述缓冲级电路的第三输出端口相连，所述第四十二晶体管的第二端接地，衬底连接所述第二端；

所述第四十三晶体管的控制端与所述缓冲级电路的第四输出端口相连，所述四十三晶体管的第二端接地，衬底连接所述第二端；

所述第四十晶体管和所述第四十二晶体管的公共端作为所述输出级电路的负输出端；所述第四十一晶体管和所述第四十三晶体管的公共端作为所述输出级电路的正输出端；所述输出级电路的负输出端和所述输出级电路的正输出端之间连接有电容支路和电阻支路；所述电容支路包括串联的第二电容和第四电容；所述电阻支路包括串联的第二电阻和第四电阻。

可选地，上述的音频功率放大器中，所述输出级电路包括：均为NMOS 管的第四十晶体管和第四十一晶体管；

其中，所述第四十晶体管的控制端与所述缓冲级电路的第一输出端口相连，所述第四十晶体管的第一端连接功率电源，第二端连接所述第四十一晶体管的第一端，衬底连接所述第二端；

所述第四十一晶体管的控制端与所述缓冲级电路的第二输出端口相连，所述第四十一晶体管的第二端接地，衬底连接所述第二端；

所述第四十晶体管和所述第四十一晶体管的公共端作为所述输出级电路的输出端。

可选地，上述的音频功率放大器中，所述缓冲级电路包括：设置为PMOS 管的第二十六晶体管和第二十七晶体管；以及设置为NMOS管的第二十八晶体管和第二十九晶体管；其中：