[实用新型]一种电源备份电路

权利要求书

1.一种电源备份电路，包括第一电源模块和第二电源模块，其特征在于：还包括第一电子开关电路、第二电子开关电路、第一理想二极管电路和第二理想二极管电路，所述第一电源模块通过第一电子开关电路与第一理想二极管电路的输入端连接，所述第二电源模块通过第二电子开关电路与第二理想二极管电路的输入端连接，所述第一理想二极管电路的输出端和第二理想二极管电路的输出端均与负载连接；所述第一电源模块和第一电子开关电路之间还连接有用于检测第一电源模块运行状态的故障检测模块；所述第一电子开关电路和第二电子开关电路之间还连接有用于控制第一电源模块优先工作的控制电路。

2.根据权利要求1所述的一种电源备份电路，其特征在于：所述第一电子开关电路包括瞬态抑制二极管TVS1、稳压管Z1、三极管Q3、MOSFET管Q1、电阻R1、电阻R2和电阻R4；所述瞬态抑制二极管TVS1的阳极与第一电源模块的负向输出连接，所述瞬态抑制二极管TVS1的阴极与第一电源模块的正向输出连接；所述三极管Q3的集电极通过串联的电阻R4和电阻R1与第一电源模块的正向输出连接，所述三极管Q3的发射极与第一电源模块的负向输出连接；所述MOSFET管Q1的栅极通过电阻R2连接在电阻R4和电阻R1的连接线路上，所述MOSFET管Q1的源极和漏极均与第一电源模块的正向输出连接；所述稳压管Z1的阳极连接在电阻R4与MOSFET管Q1的栅极在电阻R4和电阻R1的连接线路的连接点之间，所述稳压管Z1的阴极与第一电源模块的正向输出连接且位于瞬态抑制二极管TVS1和MOSFET管Q1之间。

3.根据权利要求2所述的一种电源备份电路，其特征在于：所述MOSFET管Q1采用体二极管的P型MOSFET管。

4.根据权利要求2或3所述的一种电源备份电路，其特征在于：所述故障检测模块包括集成电路U1，所述集成电路U1包括芯片TPS3700DDC。

5.根据权利要求4所述的一种电源备份电路，其特征在于：所述故障检测模块还包括二极管D5、稳压管Z3、电容C3、电容C4、电容C8、电阻R5、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10和电阻R16；所述芯片TPS3700DDC的第1引脚和第6引脚均与MOSFET管Q1的基极连接，所述芯片TPS3700DDC的第1引脚和第6引脚还均通过电阻R8与第一电源模块的正向输出连接，所述电阻R10和电容C4的一端均与芯片TPS3700DDC的第3引脚通过并联的电阻R10和电容C4与瞬态抑制二极管TVS1的阳极连接，所述芯片TPS3700DDC的第4引脚通过电阻R5与第一电源模块的正向输出连接，所述芯片TPS3700DDC的第2引脚和第5引脚之间连接有电容C8，所述电容C8与芯片TPS3700DDC第5引脚连接的一端连接外部电源，所述电容C8与芯片TPS3700DDC第5引脚连接的一端还依次通过串联的电阻R16和二极管D5与第一电源模块的正向输出连接；所述二极管D3的阳极与瞬态抑制二极管TVS1的阳极连接，所述二极管D3的阴极连接外部电源；所述电阻R7的一端与电阻R10连接，另一端与第一电源模块的正向输出连接；所述电阻R9和电容C3并联后一端与电阻R5连接，另一端与第一电源模块的负向输出连接。

6.根据权利要求1所述的一种电源备份电路，其特征在于：第二电子开关电路包括瞬态抑制二极管TVS2、稳压管Z2、MOSFET管Q4、电阻R11、电阻R12和电阻R13；所述瞬态抑制二极管TVS2的阳极与第二电源模块的负向输出连接，所述瞬态抑制二极管TVS2的阳极与第二电源模块的正向输出连接；所述电阻R11和电阻R13串联后连接在第二电源模块的正向输出和负向输出之间；所述稳压管Z2的阳极连接在电阻R11和电阻R13的连接线路上，所述稳压管Z2的阴极与第二电源模块的正向输出连接且位于瞬态抑制二极管TVS2和电阻R11之间；所述MOSFET管Q4的栅极通过电阻R12连接在电阻R11和电阻R13的连接线路上，所述MOSFET管Q4的源极和漏极均与第二电源模块的正向输出连接。

7.根据权利要求6所述的一种电源备份电路，其特征在于：所述MOSFET管Q4采用体二极管的P型MOSFET管。