[实用新型]一种半桥电路并联无源均流电路有效
申请号: | 201821523650.4 | 申请日: | 2018-09-18 |
公开(公告)号: | CN209217947U | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 李思奇;李得菘;舒文彬;荣恩国;代维菊;罗淑龄 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | H02M3/00 | 分类号: | H02M3/00;H02M3/155 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 本实用新型 半桥电路 均流 电路 均流电路 芯片 并联 无源 电子应用技术 半桥结构 半桥模块 并联使用 额外供电 流通电流 输出电流 外接电路 不一致 电源 | ||
1.一种半桥电路并联无源均流电路,其特征在于:包括N个并联半桥模块,以半桥模块输出中点M为界分为上下两个部分,每个部分都由高频电流互感器电路、剩余电流泄放电路组成;
所述高频电流互感器电路包括高频电流互感器、MOS管;所述剩余电流泄放电路包括电阻,电容,快恢复二极管;
上部分的所有高频电流互感器的一次侧绕组T1-1,T1-2,....,T1-N依次串入各自所在的半桥模块中,其位置在上端MOS管源极输出和半桥模块中点M之间,上部分的所有高频电流互感器二次侧绕组T2-1,T2-2,…T2-N顺次串联,最后一个高频电流互感器的二次侧绕组T2-N的非同名端与第一个高频电流互感器的二次侧绕组T2-1的同名端再连接,且最后一个高频电流互感器二次侧绕组T2-N的非同名端通过一个电阻R3连接到直流电源的负极;
下部分的所有高频电流互感器的一次侧绕组T3-1,T3-2,…T3-N依次串入各自所在的半桥模块中,其位置在半桥模块中点M与下端MOS管栅极之间,下部分的所有高频电流互感器二次侧绕组T4-1,T4-2,…T4-N顺次串联,最后一个高频电流互感器的二次侧绕组T4-N的非同名端与第一个高频电流互感器的二次侧绕组T4-1的同名端再连接,且最后一个高频电流互感器二次侧绕组T4-N的非同名端通过一个电阻R4连接到直流电源的负极;
半桥模块1中上部分剩余电流泄放电路主要由电阻R1、电容C1和快恢复二极管D1组成,快恢复二极管D1阳极连接到直流电源的负极,电阻R1与电容C1并联,并联后一端与快恢复二极管D1阴极相连,并联后另一端连接到上端MOS管Q1源极;
半桥模块1中下部分剩余电流泄放电路主要由电阻R2、电容C2和快恢复二极管D2组成,电阻R2与电容C2并联,快恢复二极管D2阳极与下端MOS管Q2栅极连接,快恢复二极管D2阴极与并联后的电阻R2和电容C2的一端连接,并联后的电阻R2和电容C2的另一端连接到直流电源的正极;
其他半桥模块中剩余电流泄放电路连接方式均与半桥模块1中的剩余电流泄放电路相同。
2.根据权利要求1所述的半桥电路并联无源均流电路,其特征在于:所述高频电流互感器的磁芯为高磁导率磁环。
3.根据权利要求1所述的半桥电路并联无源均流电路,其特征在于:所述高频电流互感器的一次侧绕组由连接线穿过高磁导率磁环形成。
4.根据权利要求1所述的半桥电路并联无源均流电路,其特征在于:所述高频电流互感器的二次侧绕组由带绝缘包裹的导线缠绕在高磁导率磁环上形成。
5.根据权利要求1所述的半桥电路并联无源均流电路,其特征在于:所述快恢复二极管反向直流耐压值大于直流电源电压的2倍。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明理工大学,未经昆明理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821523650.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种变频器电路
- 下一篇:一种具有过压保护功能的DC-DC电路及装置