[实用新型]一种气体吸附除杂设备

说明书

本实用新型公开一种气体吸附除杂设备，待净化气体从气体入口通入，依次经过活性炭吸附段和树脂吸附段吸附除杂，活性炭吸附段可以去除待净化气体中的水、粉尘等固体颗粒物以及易预冷液化的杂质，所述树脂吸附段内填充有两性离子交换树脂颗粒，可以吸附待净化气体中的阳离子和阴离子，通过吸附即可以完成气体除杂净化，具有除杂效率高、气体空放率低的优点，提高气体利用率，降低了企业生产中气体净化的成本。

技术领域

本实用新型涉及气体提纯装置领域，具体涉及一种气体吸附除杂设备。

背景技术

高纯度多晶硅广泛应用于电子信息产业和半导体集成电路产业，但国内目前行业的多晶硅纯度仍然达不到半导体集成电路的要求，高纯度多晶硅中的主要杂质硼和磷的含量明显高于国外行业的杂质含量。

第三代改良西门子法是目前生产多晶硅的主流技术。该技术以三氯氢硅和氢气为原料，在高温环境下获得多晶硅。在此过程中，杂质氯化硼和氯化磷，在氢气气氛下也以单质B和P的形式沉积在多晶硅上，降低了多晶硅的纯度。

三氯氢硅在还原反应过程中，随着氢气不断循环，使硼和磷随循环氢气一起进入还原炉，从而对多晶硅产品纯度和质量产生危害的影响。

现行业内一般通过变压吸附技术进行氢气提纯，该吸附工艺通过活性炭进行吸附，有一定提纯效果，但仍存在明显的痕量杂质，无法满足行业内日益增长的多晶硅制备工艺的纯度要求。

实用新型内容

有鉴于此，本申请提供一种气体吸附除杂设备，无需变压吸附除杂，仅通过吸附即可以完成气体除杂净化，具有除杂效率高、纯度高的优点，且吸附材料可以重复利用，降低了企业生产中气体净化的成本。

为解决以上技术问题，本实用新型提供的技术方案是一种气体吸附除杂设备，包括筒体，所述筒体的两端分别设置有气体入口和气体出口，所述气体入口和气体出口之间的所述筒体上依次设置有活性炭吸附段和树脂吸附段，所述树脂吸附段内填充有特制的两性离子交换树脂颗粒。

优选的，所述筒体的内壁覆盖有聚四氟乙烯层。

优选的，所述活性炭吸附段和所述树脂吸附段的轴向两端分别设置有固定组件，所述固定组件密封设置于相邻的所述法兰之间。

优选的，所述固定组件包括两平行设置的丝网压板，所述丝网压板上分布有孔，两丝网压板之间压紧有丝网。

优选的，所述丝网与所述丝网压板之间焊接。

优选的，所述气体入口处设置有流量控制阀。

优选的，所述气体入口与所述活性炭吸附段之间设置有第一取样口，所述气体出口和树脂吸附段之间设置有第二取样口。

优选的，所述第一取样口和所述第二取样口上设置有阀门。

本申请与现有技术相比，其详细说明如下：

本申请公开了一种气体吸附除杂设备，待吸附净化的氢气依次经过活性炭吸附段和树脂吸附段，所述活性炭吸附段用于去除遇冷液化的液态三氯氢硅及固体颗粒物杂质，所述树脂吸附段用于去除氢气中混杂的阳离子和阴离子，获得的氢气纯度高，杂质浓度小于100μg/L。所述树脂吸附段中的两性离子交换树脂颗粒可在洗涤后重新使用，具有重复利用率高的优点。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为图1中固定组件(6)的结构示意图；

图3为图1中A处的局部放大图。

具体实施方式

为了使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。