[实用新型]检测系统有效
申请号: | 201821354701.5 | 申请日: | 2018-08-21 |
公开(公告)号: | CN209028014U | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 陈鲁;黄有为;崔高增;王天民 | 申请(专利权)人: | 深圳中科飞测科技有限公司 |
主分类号: | G01N21/95 | 分类号: | G01N21/95 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 杨胜军 |
地址: | 510380 广东省深圳市光明新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光斑 探测区域 检测 本实用新型 检测系统 检测信息 被测物 配置 缺陷特征信息 处理器组件 检测光束 检测组件 信号收集 信号光 种检测 散射 晶圆 节约 移动 | ||
本实用新型公开了一种检测系统。检测系统包括:检测组件,其被配置为基于检测光束来生成检测光斑,检测光斑包括探测区域,探测区域为线形;信号收集组件,其被配置为收集检测光斑经被测物散射后形成的信号光,进而生成与检测光斑相对应的检测信息;以及处理器组件,其被配置为基于探测区域获取的检测信息来确定被测物上的缺陷特征信息。通过采用本实用新型的技术方案,节约了晶圆的移动时间,能明显增加检测速度和精度。
技术领域
本实用新型属于晶圆检测领域,尤其涉及一种涉及晶圆缺陷检测的系统。
背景技术
晶圆缺陷检测是指检测晶圆中是否存在凹槽、颗粒、划痕等缺陷以及缺陷位置。晶圆缺陷检测应用十分广泛:一方面,作为芯片基底,晶圆上存在缺陷将可能导致上面制作的昂贵工艺失效,晶圆生产方常进行缺陷检测确保产品合格率,晶圆使用方也需要在使用前确定晶圆的干净程度能保证产品合格率;另一方面,由于半导体加工对加工过程中附加污染控制十分严格,而直接监测加工过程中附加污染难度较大,人们常通过晶圆裸片加工前后缺陷对比来判断该工艺附加污染程度。因此,人们进行了各种晶圆缺陷检测手段的探索。
目前常用晶圆缺陷检测方法的主要包括电子束检测和光学检测两大类。得益于电子波的极端波长,电子束检测能直接成像且分辨率可达到1至2纳米,然而它检测所需的时间较长且检测需要高真空环境,通常用来对少数关键电路环节抽样检查。光学检测是利用光与芯片相互作用实现检测的方法的总称,其基本原理是通过扫描检测入射光与缺陷散射光是否存在及其强度,判断缺陷有无及大小。
实用新型内容
本实用新型针对当前的光学测量方法存在耗时长、精度低的缺陷,提出一种能够实现对晶圆进行多入射角检测的系统与方法。
首先,本实用新型提出了一种检测系统,其包括:检测组件,其被配置为基于检测光束来生成检测光斑;信号收集组件,其被配置为线形地收集被测物在所述检测光斑的作用下形成的信号光,进而生成与所述检测光斑相对应的检测信息;以及处理器组件,其被配置为基于所述检测信息来确定所述被测物上的缺陷特征信息。
在一种实施方式中,所述信号收集组件包括:至少一个探测支路,每个所述探测支路包括信号光收集器和线探测器,其中,所述信号光收集器用于将所收集到的信号光成像式地投射到所述线探测器。
在一种实施方式中,所述信号收集组件包括:第一散射光探测支路,被配置为收集具有第一出射角的散射光;第二散射光探测支路,被配置为收集具有第二出射角的散射光,所述第二出射角与第一出射角不相等。
在一种实施方式中,所述检测组件被配置为:基于第一检测光束来生成第一检测光斑,其中,所述第一检测光斑为线形光斑;基于第二检测光束来生成第二检测光斑,其中,所述第一检测光斑和所述第二检测光斑部分地重叠,并且所述第一检测光束的波长不同于所述第二检测光束的波长。
在一种实施方式中,所述第一散射光探测支路包括第一信号收集器和第一线探测器,其中,所述第一信号光收集器用于将所收集到的信号光成像式地投射到所述第一线探测器;所述第二散射光探测支路包括第二信号光收集器、第一分束器、第一滤光片和第二线探测器,其中,所述第二信号光收集器用于将所收集到的信号光成像式地投射到所述第二线探测器,所述第一滤光片经由所述第一分束器接收所述信号光,并基于波长对所接收到的信号光进行选择性接收。
在一种实施方式中,所述信号收集组件还被配置为收集所述检测光斑经被测物反射后形成的信号光,所述信号收集组件还包括:第三探测支路,其包括第一滤光片和第三线探测器,其中,所述第二滤光片经由所述第一分束器接收所述信号光,并基于波长对所接收到的信号光进行选择性接收。
在一种实施方式中,所述处理器组件被配置为使得所述检测组件以指定的探测轨迹来对所述被测物进行检测,其中,所述指定的探测轨迹为与所述检测光斑对应的探测区域的中心相对于所述被测物表面的扫描轨迹,所述指定的探测轨迹包括在径向上排列的多个同心圆。
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