[实用新型]一种晶圆对晶圆的半导体激光器芯片老化测试装置有效
| 申请号： | 201821284229.2 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN208580182U | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 邱德明;张振峰;杨国良 | 申请（专利权）人： | 武汉盛为芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 武汉维创品智专利代理事务所(特殊普通合伙) 42239 | 代理人： | 余丽霞 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测试晶圆 晶圆 半导体激光器芯片 测试机台 老化测试装置 本实用新型 检测 凸台 种晶 电路电连接 晶圆测试 老化测试 批量测试 生产效率 视觉识别 样品台 探针 载入 测试 改进 | ||
1.一种晶圆对晶圆的半导体激光器芯片老化测试装置，包括测试机台(1)，所述测试机台(1)上设有载入待测晶圆(3)的样品台(2)，其特征在于，所述测试机台(1)上的检测部件为测试晶圆(4)，所述测试晶圆(4)包括与待测晶圆(3)轮廓相同的检测块(41)，所述检测块(41)表面均匀分布有与待测晶圆(3)上若干个半导体激光器芯片(31)一一对应的凸台(42)，每个所述凸台(42)与设置在检测块(41)上的电路电连接；所述测试晶圆(4)上还设有视觉识别的字符(43)。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆对晶圆的半导体激光器芯片老化测试装置，其特征在于，所述测试晶圆(4)采用半导体工艺，经过刻蚀以及nm级镀膜工艺加工得到。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆对晶圆的半导体激光器芯片老化测试装置，其特征在于，所述凸台(42)采用刻蚀及nm级镀膜工艺制得。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆对晶圆的半导体激光器芯片老化测试装置，其特征在于，所述检测块(41)的材料为硅基，所述凸台(42)的材料为金。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆对晶圆的半导体激光器芯片老化测试装置，其特征在于，每个所述凸台(42)的尺寸小于半导体激光器芯片(31)中电极的尺寸。
6.根据权利要求1所述的一种晶圆对晶圆的半导体激光器芯片老化测试装置，其特征在于，每个所述凸台(42)的尺寸为20um×30um。
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