[实用新型]一种强络合废水破络装置

说明书

本实用新型公开了一种强络合废水破络装置，包括依次连通的含镍调节池，pH调节池，铁碳微电解池，芬顿池，氧化除氨氮池，还原池，加碱池，沉淀池。本实用新型公开的强络合废水破络装置能提高破络效果，提高后续除镍系统的效率；铁碳微电解结合芬顿反应，相比直接芬顿反应，节约了药剂成本；该装置充分利用了铁碳微电解和芬顿中的铁元素，加碱后能够生成絮凝剂，无需额外添加混凝剂；工艺简单，设施成本少，实用性高。

技术领域

本实用新型涉及工业废水处理技术领域，具体涉及一种含半导体生产行业所产生的强络合镍废水的预处理破络装置。

背景技术

半导体生产过程中的镀镍环节会产生大量的含镍废水。与传统电镀行业废水不同，半导体行业含镍废水具有一些独有的特征：EDTA络合镍占比大、废水电导率低、氨氮浓度高。传统的含镍废水处理方法均不完全适用于该废水的处理与回用，如物化沉淀法、离子交换法、吸附法无法破坏EDTA-Ni螯合物的环状结构，造成沉淀出水总镍不达标；芬顿、电解等氧化预破络方法则对EDTA-Ni破络不充分、污泥量大、后期费用高。

专利文件(CN106698759 A)公开了一种化学镀镍废水零排放处理方法，此方法主要包括芬顿和UV光催化氧化预处理、均相膜、反渗透等组合工艺。但当废水含有EDTA等强络合剂时，芬顿和UV光催化氧化预处理加药量大、出水水质仍无法达到高标准排放要求(《电镀行业污染物排放标准》(GB21900-2008)表3，下文简称表3标准)。同时，无法有效去除氨氮。

因此，亟需一种处理效果较好的含镍废水处理，可以将含镍废水处理后达到排放标准。

实用新型内容

发明目的：本实用新型提供一种强络废水破络装置，以解决现有技术存在的含低浓度强络合镍废水处理时破络不充分造成的出水总镍无法达到排放标准、废水回用率低等的问题。

技术方案：本实用新型公开了一种强络合废水破络装置，包括依次连通的含镍调节池，pH调节池，铁碳微电解池，芬顿池，氧化除氨氮池，还原池，加碱池，沉淀池。

其中，所述pH调节池设有酸碱投加口。

其中，所述芬顿池设有芬顿药剂投加口。

其中，所述还原池设有还原剂投加口。

本实用新型提供了一种强络合镍废水的破络装置，其包括铁碳微电解、芬顿反应、氧化除氨氮、和还原反应四个主要部分。其技术方案如下：

含镍废水进入含镍调节池，由提升泵输送，进入pH调节池，调节pH为3-5，自流依次进入后续铁碳微电解池，在酸性条件下，铁碳填料中的铁、碳生成了原电池，发生氧化还原反应，能够有效降解有机物，从而达到破络结果。

再进入芬顿池，其中由二价铁催化过氧化氢生成的羟基自由基降解络合物，进一步强化破络效果。

依次再进入氧化除氨氮池，氧化氨氮池中，次氯酸钠与氨氮发生反应，生成氮气；还原池中，通过加入还原剂，还原前端工艺投加的过量氧化剂，还原后的水调节pH为碱性后，生成镍的氢氧化物沉淀，去除镍离子。

铁碳微电解池底部设有曝气均质装置，池内设有铁碳填料，水力停留时间为30min～120min。

芬顿池设有芬顿试剂加药口，通过加药装置向芬顿池内定量投加FeSO₄和H₂O₂。H₂O₂的投加量为1.0～2.0g H₂O₂/g COD，FeSO₄的加药量为0.4～0.6g FeSO₄/g H₂O₂，反应时间为30min～120min。