[实用新型]一种应用于IGBT的吸收电容结构有效

专利信息
申请号: 201821261401.2 申请日: 2018-08-06
公开(公告)号: CN208538702U 公开(公告)日: 2019-02-22
发明(设计)人: 韩最稳 申请(专利权)人: 深圳市胜利新能电力电子有限公司
主分类号: H01G4/38 分类号: H01G4/38;H01G4/228
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 唐致明;洪铭福
地址: 518100 广东省深圳市龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电容芯子 导电端子 吸收电容 电连接 皮导线 本实用新型 第二电极 第三电极 第一电极 电极 一体化封装 互相连接 一端连接 公共极 装配 应用
【说明书】:

实用新型公开了一种应用于IGBT的吸收电容结构,其包括外壳、第一电容芯子、第二电容芯子、第一导电端子、第二导电端子以及带皮导线,所述第一电容芯子包括第一电极和第二电极,所述第二电容芯子包括第三电极和第四电极,所述第一电极与所述第三电极电连接并通过带皮导线从所述外壳中引出,所述第二电极通过导线与所述第一导电端子电连接,所述第四电极通过导线与所述第二导电端子电连接。本实用新型将2个电容芯子一体化封装设计,引出可与IGBT管脚一一对应连接的2个导电端子,并通过带皮导线将2个电容芯子的互相连接的一端连接到IGBT的2个单元的公共极上,方便吸收电容装配。

技术领域

本实用新型涉及电容器领域,尤其是涉及一种应用于IGBT的双电容结构。

背景技术

IGBT学名绝缘双栅晶体管,是一个高频的开关器件,常用于高频大功率的设备中。由于经常需要经受高频大电流,于是常用一些高压小容量的薄膜电容直接安装在IGBT上,用于做尖峰吸收,来保护IGBT。吸收掉尖峰的大电流,从而起到保护IGBT的作用,但由于IGBT的结构常以二单元的为主,IGBT上两组,有一组共用一极。如果采用方块铜片式的吸收电容,吸收电容只能安装在一组单元上,另一个单元上再安装吸收电容就不太方便。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本实用新型的一个目的是提供一种便于装配的应用于IGBT的双电容结构。

本实用新型所采用的技术方案是:一种应用于IGBT的双电容结构,其包括外壳、第一电容芯子、第二电容芯子、第一导电端子、第二导电端子以及带皮导线,所述第一电容芯子包括第一电极和第二电极,所述第二电容芯子包括第三电极和第四电极,所述第一电极与所述第三电极电连接并通过带皮导线从所述外壳中引出,所述第二电极通过导线与所述第一导电端子电连接,所述第四电极通过导线与所述第二导电端子电连接,所述第一电容芯子与第二电容芯子通过填充物灌封于所述外壳内,所述第一导电端子和第二导电端子从外壳中引出,所述第一导电端子与第二导电端子可与IGBT的管脚一一对应连接。

进一步,所述皮导线引出外壳的一端设有可与IGBT的管脚连接的导电垫圈。

进一步,所述第一导电端子与第二导电端子均设有可与IGBT的管脚连接的通孔。

进一步,所述第一导电端子与第二导电端子的材质为镀锌铜片。

进一步,所述外壳的材质为塑料。

进一步,所述填充物为黑色环氧树脂。

本实用新型的有益效果是:本实用新型将2个电容芯子一体化封装设计,引出可与IGBT管脚一一对应连接的2个导电端子,并通过带皮导线将2个电容芯子的互相连接的一端连接到IGBT的2个单元的公共极上,方便吸收电容装配。

另外,本实用新型中皮导线引出外壳的一端设有可与IGBT的管脚连接的导电垫圈,第一导电端子与第二导电端子均设有可与IGBT的管脚连接的通孔,均可通过螺丝安装在IGBT上,便于拆装维修更换。

附图说明

图1是本实用新型的侧视图;

图2是本实用新型中一具体实施例的装配图。

具体实施方式

需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

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