[实用新型]一种晶体原料用预处理装置有效
| 申请号: | 201821216124.3 | 申请日: | 2018-07-27 |
| 公开(公告)号: | CN209010636U | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
| 发明(设计)人: | 廖永建;周里华;张福亮 | 申请(专利权)人: | 惠磊光电科技(上海)有限公司 |
| 主分类号: | C30B35/00 | 分类号: | C30B35/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 201800 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 连接筒 翻边 卡筒 晶体原料 盛放装置 对接筒 石英管 本实用新型 预处理装置 密封性 橡胶圈 凸缘 连接筒内壁 预处理效果 插接设置 顶部内壁 光电功能 晶体制备 两端端面 两端开口 两端橡胶 一端开口 抽真空 开口处 开口端 螺纹 延伸 插接 搭接 抵接 同轴 向内 | ||
本实用新型涉及光电功能晶体制备技术领域,公开了一种晶体原料用预处理装置,旨在解决现有技术中盛放装置处密封性不佳的问题,其包括盛放装置,盛放装置包括螺纹插接设置的连接筒和对接筒,对接筒远离连接筒一端开口设置,且其开口处向内延伸设有凸缘,还包括石英管,石英管开口端向外延伸设有翻边,石英管插接于对接筒中,翻边搭接于凸缘靠近连接筒一侧设置,连接筒中还同轴设有卡筒,卡筒两端开口设置,且饶其两端端面设有橡胶圈,两橡胶圈分别抵设于翻边靠近连接筒顶端的一侧和连接筒顶部内壁设置。本实用新型通过卡筒两端橡胶圈的设置,提高卡筒和翻边及连接筒内壁抵接处的密封性,从而提高抽真空效果,进而提高晶体原料预处理效果。
技术领域
本实用新型涉及光电功能晶体制备技术领域,尤其涉及一种晶体原料用预处理装置。
背景技术
光电功能材料是一种具有光学性质、电学性质或光电转换性质的材料,而光电功能晶体是光电功能材料中的一种晶体材料,其广泛应用于微电子、光电子、通信、航天及现代军事技术等高科技领域。
其中溴化镧,碘化锂,碘化锶,碘化钠,碘化铯以及CLYC等晶体性能优良,但是,这些晶体材料易于吸潮;并在这些易吸潮晶体用于晶体生长的原料时,由于其含有水分,不仅会大幅度影响晶体性能,而且有可能导致生成的晶体的熔点和物性发生较大改变,无法生长出晶体。
而现有技术中提供了一种晶体原料用预处理装置如附图1-3所示,包括加热保温箱1,所述加热保温箱1上挂接有抽真空管21,所述加热保温箱1中设有盛放装置3,所述抽真空管21连通盛放装置3设置,且所述抽真空管21连通抽真空泵2设置;而盛放装置3包括连通抽真空管21设置的连接筒31,还包括石英管33和连接于石英管33顶端开口处的对接筒32,而所述石英管33顶端向外延伸设有翻边331,所述对接筒32远离连接筒31的一端开口设置,且开口处向内延伸设有凸缘321,所述翻边331搭接于凸缘321上设置,且所述连接筒31螺纹插接于对接筒32中设置;同时,所述连接筒31中还同轴设有卡筒34,所述卡筒34底端压于翻边331上,所述卡筒34顶端抵于连接筒31顶部内壁设置。
虽然这种晶体原料用预处理装置中通过卡筒的设置能够抵住石英管,避免石英管在压力差作用下出现偏移而而影响抽真空效果,甚至出现损坏,但是,卡筒与翻边及连接筒内壁之间为抵接设置,一旦卡筒端面、翻边或连接筒内壁不平整设置,而使抵接面之间存在缝隙,导致抽真空效果较差,而使晶体原料预处理质量较差。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足,本实用新型提供了一种晶体原料用预处理装置,其具有密封效果好,抽真空效果好的优点。
为实现上述技术目的,本实用新型提供的一种晶体原料用预处理装置包括如下技术方案:
包括盛放装置,所述盛放装置包括螺纹插接设置的连接筒和对接筒,所述对接筒远离连接筒一端开口设置,且其开口处向内延伸设有凸缘,还包括石英管,所述石英管开口端向外延伸设有翻边,所述石英管插接于对接筒中,所述翻边搭接于凸缘靠近连接筒一侧设置,所述连接筒中还同轴设有卡筒,所述卡筒两端开口设置,且饶其两端端面设有橡胶圈,两所述橡胶圈分别抵设于翻边靠近连接筒顶端的一侧和连接筒顶部内壁设置。
采用上述技术方案,由于卡筒外径小于连接筒和对接筒内径设置,且卡筒两端分别抵接在翻边靠近连接筒顶端的一侧和连接筒顶部的内壁上,在抽真空时,空气从石英管中进入卡筒的中空部位,再进入抽真空管中,因此,对卡筒两端的抵接处密闭性的要求较高,而通过在卡筒两端设置上橡胶圈,不仅能够利用橡胶圈的软质、形变能力,挡住缝隙,提高密闭性,从而提高抽真空效果,还能利用橡胶圈缓冲翻边与卡筒的对接,保护石英管。
在一些实施方式中,所述凸缘靠近连接筒一侧端面上开有环形阶梯槽,所述石英管的翻边卡接于阶梯槽中设置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠磊光电科技(上海)有限公司,未经惠磊光电科技(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821216124.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于定向凝固生长多晶硅的冷却机构
- 下一篇:晶体生长安瓿位置调节装置及系统





