[实用新型]过温保护装置

说明书

本实用新型提供一种过温保护装置，包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、热敏电阻、电压比较器、开关；第一电阻的一端与电源端电连接，第一电阻的另一端与第二电阻的一端电连接，第二电阻的另一端接地，第一电阻的另一端还与电压比较器的正输入端电连接；热敏电阻设置于电子设备的发热区，第三电阻的另一端接地，热敏电阻的另一端还与电压比较器的负输入端电连接；电压比较器的输出端与开关的开关控制端电连接，电压比较器用于向开关输出开关控制信号；第二接线端用于与电子设备的电源电连接。该过温保护装置采用硬件电路实现，大大降低了成本，并且稳定性提高，能够为整机提供可靠的过温保护。

技术领域

本实用新型涉及过温保护电路技术领域，特别涉及一种过温保护装置。

背景技术

整机在工作的时候会有一定的几率出现因为软件超负荷或者雷击，静电和一些可能的设计缺陷导致设备的某些模块出现异常，进而导致整个设备发热，严重的会出现外壳融化等烧毁的风险。现在普遍路由网关类设备中的热保护装置是增加一颗热传感器，热传感器发送温度数据给处理器，由处理器在通过软件来进行处理，并产生报警信号。该种技术方案成本较高。并且，该种技术方案的稳定性较差，一旦热传感器出现异常，不能准确获取温度信息，则热保护功能就会失去；或者，处理器过热，不能正常工作，则无法输出过热报警信号。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是为了克服现有技术的过温保护设备的成本高、稳定性差的缺陷，提供一种成本低、稳定性高且可靠的过温保护装置。

本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题：

一种过温保护装置，包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、热敏电阻、电压比较器、开关；

开关包括开关控制端、第一接线端、第二接线端；

第一电阻的一端与电源端电连接，第一电阻的另一端与第二电阻的一端电连接，第二电阻的另一端接地，第一电阻的另一端还与电压比较器的正输入端电连接；

热敏电阻设置于电子设备的发热区，热敏电阻的一端与电源端电连接，热敏电阻的另一端与第三电阻的一端电连接，第三电阻的另一端接地，热敏电阻的另一端还与电压比较器的负输入端电连接；

电压比较器的输出端与开关的开关控制端电连接，电压比较器用于向开关输出开关控制信号；

第二接线端用于与电子设备的电源电连接，为电子设备供电。

较佳地，热敏电阻为负温度系数热敏电阻。

较佳地，开关为PMOS(P-Metal-Oxide-Semiconductor，P型金属-氧化物-半导体)场效应管，PMOS场效应管的栅极作为开关控制端，PMOS场效应管的源极作为第一接线端，PMOS场效应管的漏极作为第二接线端。

较佳地，过温保护装置还包括第四电阻，电压比较器的输出端还与第四电阻的一端电连接，第四电阻的另一端与电源端电连接。

较佳地，过温保护装置还包括第一电容，第一电容的一端与电源端电连接，第一电容的另一端接地。

较佳地，过温保护装置还包括第二电容，第二电容的一端与第二接线端电连接，第二电容的另一端接地。

较佳地，PMOS场效应管的最大通流量为3安培。

较佳地，PMOS场效应管的导通电阻的范围为40-80毫欧(mΩ)。

较佳地，发热区包括CPU(中央处理器)或电源模块所在区域。

较佳地，开关控制信号为高电平时，第一接线端与第二接线端连通。

本实用新型的积极进步效果在于：该过温保护装置采用硬件电路实现，大大降低了成本，并且稳定性提高，能够为电子设备整机提供可靠的过温保护。