[实用新型]生长炉

说明书

本实用新型提供一种生长炉，涉及晶体培养设备领域，生长炉包括：炉体、坩埚、坩埚托组件、第一驱动机构、籽晶托组件和第二驱动机构，坩埚设置于炉体内，炉体内设有加热装置，坩埚包括坩埚本体和籽晶管，籽晶管与坩埚本体连通；坩埚托组件设有用于容纳籽晶管的容置通道，坩埚托组件的一端与坩埚本体连接，籽晶托组件的一端可穿设于容置通道内；第一驱动机构与坩埚托组件的另一端传动连接，第二驱动机构与籽晶托组件的另一端传动连接。通过第一驱动机构带动坩埚以一定的速度靠近或远离加热装置，同时通过第二驱动机构带动籽晶托组件以一定速度远离或靠近籽晶管。因此，生长炉对结晶区温度梯度的调节更加精细，可以确保晶体生长的质量更好。

技术领域

本实用新型涉及晶体培养设备领域，尤其是涉及一种生长炉。

背景技术

在坩埚下降法晶体生长炉中，晶体生长需要合适的温度梯度，才能获得晶体内部无杂质、外部形态比较规则的晶体毛坯。在晶体生长的过程中，盛装原料的坩埚必须按照特定的速度移动，才能获得晶体生长所需的温度梯度，晶体在生长炉内生长时，通过使坩埚下降产生合适的温度梯度，使晶体较好地生长。

现有技术的生长炉包括炉体、坩埚和坩埚杆，坩埚置于炉体内，炉体的上部设有加热装置，坩埚位于加热装置的下方，坩埚杆的顶端伸进生长炉的炉膛内支撑坩埚，坩埚杆的底部伸出炉膛与炉体下方的升降座连接，升降座带动坩埚杆和坩埚以一定的速度向下移动，从而产生温度梯度，使晶体较好地生长。

然而，通过上述装置调节坩埚内结晶区温度梯度的精度较差，容易使晶体内部产生杂质、气泡等，使晶体的质量较差，无法满足使用需求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种生长炉，以解决现有技术中生长炉培养晶体时调节坩埚内结晶区温度梯度的精度较差导致培养的晶体质量较差的问题。

本实用新型提供一种生长炉，包括：炉体、坩埚、坩埚托组件、第一驱动机构、籽晶托组件和第二驱动机构，所述坩埚设置于所述炉体内，所述炉体内设有加热装置，所述坩埚包括坩埚本体和籽晶管，所述籽晶管设置于所述坩埚本体上远离所述加热装置的一端，所述籽晶管与所述坩埚本体连通；

所述坩埚托组件设有用于容纳所述籽晶管的容置通道，所述坩埚托组件的一端设置于所述炉体内，且与所述坩埚本体连接，所述籽晶托组件的一端设置于所述炉体内，且可穿设于所述容置通道内，所述坩埚托组件和所述籽晶托组件均用于向所述籽晶管内传递热量；

所述第一驱动机构与所述坩埚托组件的另一端传动连接，以带动所述坩埚托组件和所述坩埚靠近或远离所述加热装置，所述第二驱动机构与所述籽晶托组件的另一端传动连接，以带动所述籽晶托组件靠近或远离所述籽晶管。

其中，所述坩埚托组件包括坩埚托和坩埚杆，所述坩埚托与所述坩埚杆连接，所述坩埚托与所述坩埚本体连接，所述第一驱动机构与所述坩埚杆传动连接，所述坩埚托设有所述容置通道，所述坩埚杆为中空结构；

所述籽晶托组件包括籽晶托和籽晶杆，所述籽晶托可穿设于所述容置通道内，所述籽晶杆穿设所述坩埚杆，所述籽晶杆的一端与所述籽晶托连接，另一端与所述第二驱动机构传动连接；

所述坩埚托和所述籽晶托均用于向所述籽晶管内传递热量。

实际生产制造时，所述坩埚托组件还包括坩埚托支座，所述坩埚托、所述坩埚托支座和所述坩埚杆依次连接。

具体地，所述坩埚托和所述籽晶托均为保温砖。

进一步地，还包括测温装置，所述测温装置包括测温器和显示面板，所述测温器与所述显示面板连接；

所述籽晶杆为中空结构，所述测温器设置于所述籽晶杆内，用于检测所述籽晶托的温度，以将温度显示于所述显示面板上。