[实用新型]具有变容二极管的滤波电路结构

说明书

本实用新型涉及一种具有变容二极管的滤波电路结构，其中，所述的滤波电路结构包括一变容二极管，所述的变容二极管的阴极与所述的滤波电路结构中的两个端口之间的引出点相连接，所述的变容二极管的阳极接地。采用该种结构的滤波电路结构，通过该变容二极管实现滤波带宽大大变宽，通过对电压控制端的电压的调节，实现抑制点可以根据需要连续移动，滤波效果好，改善了现有技术中通过在电路中并联几颗滤波电容导致的滤波带宽较窄的不足，同时解决了并联电容会相互组合产生抑制效果极差的谐振点的问题。

技术领域

本实用新型涉及电路结构技术领域，尤其涉及滤波电路技术领域，具体是指一种具有变容二极管的滤波电路结构。

背景技术

现有技术中针对电源，尤其是DC-DC电源、方波时钟等容易产生高频噪声的敏感电路上，通常会在这些电路的源端上并联几个容值不同的滤波电容，如图1所示，图1为现有技术中并联两个电容的滤波电路的结构示意图，图中在电路的两个端口之间并联了两个电容，分别为第一电容C1与第二电容C2，其中第一电容C1为100pF，第二电容C2为33pF，第一电容从与第一端口Port1相接近，第二电容从与第二端口Port2相接近，在类似于图1中的这种并联多颗电容的电路中虽然能够增加滤波带宽的作用，但多颗并联电容形成的谐振区也大大恶化了滤波效果，如图2所示，图2为图1中的并联两个电容的滤波电路的滤波效果图，其中，横轴代表频率，其单位为GHz，纵轴代表插入损耗，其单位为(dB)，从图2中可以看出，图2中M2点所示的抑制点是由图1中的C1产生的，其中C1为100pF，抑制930MHz附近的干扰，M3点所示抑制点是由图1中的C2产生的，其中C2为33pF，抑制642MHz附近的干扰。M1点是由图1中C1(100pF)的感性区和C2(33pF)的容性区谐振产生的谐振点，M1点是抑制效果只有12dB，是抑制效果最差的点，是滤波电路中不希望有的。所以并联两个滤波电容只有在M2点和M3点附近产生较好的滤波效果，但是因为有谐振点M1的存在大大减少了滤波的带宽，同理，并联多颗电容也会产生类似的现象。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服了上述现有技术的缺点，提供了一种改善滤波带宽较窄的不足的、结构简单，综合性能较优的具有变容二极管的滤波电路结构。

为了实现上述目的，本实用新型的具有变容二极管的滤波电路结构具有如下构成：

该具有变容二极管的滤波电路结构，其主要特点是，所述的滤波电路结构包括一变容二极管，所述的变容二极管的阴极与所述的滤波电路结构中的两个端口之间的引出点相连接，所述的变容二极管的阳极接地。

较佳地，所述的变容二极管的阴极与所述的滤波电路结构中的两个端口之间的引出点之间还串接一电容。

更佳地，所述的电容的大小由所述的滤波电路结构的滤波频段所决定。

更佳地，所述的电容与所述的变容二极管的阴极的连接处引出一端点连接一电压控制端。

更进一步的，述的电压控制端的电压控制范围由所述的滤波电路结构的滤波频段所决定。

更进一步的，所述的电压控制端与所述的电容与所述的变容二极管的阴极的连接处引出一端点之间还串接一电阻。

更进一步的，所述的电压控制端为一内置预设电压参数的寄存器。

更佳地，所述的电容的型号为muRata的56pF。

较佳地，所述的变容二极管的型号为东芝的1SV302。

采用该具有变容二极管的滤波电路结构，电路结构中在两个端口中并联一变容二极管，通过该变容二极管实现滤波带宽大大变宽，通过对电压控制端中的电压参数的调节，实现抑制点可以根据需要连续移动，滤波效果好，改善了现有技术中通过在电路中并联几颗滤波电容导致的滤波带宽较窄的不足，同时解决了并联电容会相互组合产生抑制效果极差的谐振点的问题。

附图说明