[实用新型]长晶设备及其位置调整装置

说明书

本实用新型提供一种长晶设备及其位置调整装置，所述长晶设备包括坩埚、设置于坩埚上方的炉盖、位于坩埚与炉盖间的热帷幕及位置调整装置，位置调整装置包括设置于炉盖顶缘的支架、穿设支架的中柱及多个勾爪，每个勾爪包括枢接部及分别自枢接部两端延伸的滑动部与延伸部，每个枢接部枢接于中柱，每个滑动部位于中柱旁且选择性地穿设支架，每个勾爪的滑动部与延伸部相夹形成有夹角，当中柱位于悬吊位置时，多个延伸部能维持彼此的相对位置且支撑热帷幕，当中柱位于释放位置时，多个滑动部分离于支架，多个延伸部能受重力牵引而彼此靠近。

技术领域

本实用新型涉及一种长晶设备及其位置调整装置，尤其涉及一种能自动收放勾爪的长晶设备及其位置调整装置。

背景技术

近年来，半导体产业蓬勃发展，其中硅晶圆为半导体产业最基本的必需品。硅晶圆成长的方式包括浮熔带长晶法(Floating Zone Method)、雷射加热提拉长晶法(LaserHeated Pedestal Growth)以及柴氏长晶法(Czochralski Method，简称CZ法)等。其中柴氏长晶法因具有较佳的经济效益，故成为目前大尺寸晶圆的主要生长方式。

在CZ法的单晶生长(growth of single crystal)中，在维持减压下的惰性气体环境的腔室内，将晶种(seed crystal)浸渍于坩埚(crucible)内所积存的硅的原料熔汤中，并将所浸渍的晶种缓慢提拉，进而在晶种的下方生长出单晶硅。此外，在CZ法中，需在溶液上成长的单晶硅周围配置圆柱或是倒圆锥形式的热帷幕来隔绝辐射热，以控制长成的单晶硅的温阶(temperature gradient)。

然而，在使用现有的长晶设备及热帷幕升降装置的情况下，操作人员在坩埚加料前，需要用手将热帷幕升降装置的勾爪固定于热帷幕的底缘，以固定热帷幕的位置。在融料完成并且将热帷幕下放至原来的位置(靠近坩埚的位置)后，操作人员仍然需要用手将勾爪下移使其脱离热帷幕。也就是说，不管在任何的操作阶段，勾爪皆无法在人手不触碰的情况下展开或收合。因此现有热帷幕升降装置的设计对于操作人员而言在操作上造成了一定程度的困扰。

于是，本实用新型发明人有感上述缺陷可改善，乃特潜心研究并配合科学原理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的长晶设备及其位置调整装置。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种长晶设备及其位置调整装置，能有效地改善现有位置调整装置所可能产生的缺陷。

为实现上述目的，本实用新型公开一种长晶设备，包括：一坩埚；一炉盖，设置于所述坩埚的上方并且形成有一贯孔；一热帷幕，位于所述坩埚与所述炉盖之间，所述热帷幕形成有一穿孔；以及一位置调整装置，包括有：一支架，可分离地设置于所述炉盖的顶缘；一中柱，位于所述位置调整装置的中央且穿设于所述支架，并且所述中柱能相对于所述支架于一悬吊位置与一释放位置之间移动；多个勾爪，各包括有一枢接部、自所述枢接部一端延伸的一滑动部及自所述枢接部另一端延伸的一延伸部，每个所述枢接部枢接于所述中柱，并且每个所述滑动部位于所述中柱旁且选择性地穿设于所述支架；在每个所述勾爪中，邻近所述枢接部的所述滑动部与所述延伸部的部位相夹形成介于140度至180度之间的一夹角；当所述中柱位于所述悬吊位置时，所述位置调整装置穿设于所述贯孔，所述支架设置于所述炉盖的顶缘，多个所述滑动部穿设于所述支架，并且多个所述延伸部能够维持彼此的相对位置且穿过所述热帷幕的所述穿孔而支撑所述热帷幕的底缘，以维持所述热帷幕与所述坩埚的相对位置；当所述中柱位于所述释放位置时，多个所述滑动部分离于所述支架，并且多个所述延伸部能够受重力牵引而朝向彼此靠近的方向移动，以使所述位置调整装置能够与所述热帷幕及所述炉盖分离。