[实用新型]异形显示屏和显示装置有效
申请号: | 201820713600.6 | 申请日: | 2018-05-14 |
公开(公告)号: | CN208444534U | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 周志伟;宋艳芹;李威龙;韩珍珍;胡思明 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | G09F9/30 | 分类号: | G09F9/30;G09G3/20 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 异形显示 栅极驱动电路 补偿电容 像素电路 非显示区域 异形 显示屏 边缘设置 显示装置 本实用新型 驱动 规则显示 亮度一致 显示区域 电容 | ||
1.一种异形显示屏,其特征在于,所述异形显示屏具有显示区域和围绕显示区域的非显示区域,所述显示区域包括异形显示区域,所述异形显示屏包括第一栅极驱动电路组件、第一像素电路、第二栅极驱动电路组件、第二像素电路、电容值相同的第一补偿电容和第二补偿电容,所述异形显示区域包括第一异形显示区域和第二异形显示区域,所述第一栅极驱动电路组件沿所述第一异形显示区域的边缘设置于所述非显示区域,所述第二栅极驱动电路组件沿所述第二异形显示区域的边缘设置于所述非显示区域,所述第一像素电路设置于所述第一异形显示区域,所述第二像素电路设置于所述第二异形显示区域,所述第一补偿电容和所述第二补偿电容设置在所述非显示区域,且所述第一栅极驱动电路组件通过所述第一补偿电容驱动所述第二像素电路,所述第二栅极驱动电路组件通过所述第二补偿电容驱动所述第一像素电路。
2.根据权利要求1所述的异形显示屏,其特征在于,所述非显示区域包括位于所述第一异形显示区域和所述第二异形显示区域之间的开槽区域,所述第一栅极驱动电路组件设置于所述开槽区域与所述第一异形显示区域的第一交界处,所述第二栅极驱动电路组件设置于所述开槽区域与所述第二异形显示区域的第二交界处。
3.根据权利要求2所述的异形显示屏,其特征在于,所述第一栅极驱动电路组件包括若干个栅极驱动电路,各所述栅极驱动电路设置于所述第一交界处,且与所述第一交界处在垂直于所述异形显示屏方向上的正投影成角度设置或平行设置。
4.根据权利要求2所述的异形显示屏,其特征在于,所述第二栅极驱动电路组件包括若干个栅极驱动电路,各所述栅极驱动电路设置于所述第二交界处,且与所述第二交界处在垂直于所述异形显示屏方向上的正投影成角度设置或平行设置。
5.根据权利要求2所述的异形显示屏,其特征在于,所述第一补偿电容和所述第二补偿电容设置在所述非显示区域的开槽区域。
6.根据权利要求1所述的异形显示屏,其特征在于,还包括VDD/VSS电位层,所述第一栅极驱动电阻组件的栅极线为M1金属层,所述第二栅极驱动电路组件的栅极线为M2金属层,所述M1金属层、所述M2金属层和所述VDD/VSS电位层设置于所述非显示区域,所述M1金属层、所述M2金属层和所述VDD/VSS电位层平行设置,所述VDD/VSS电位层包括同层设置的VDD电位层和VSS电位层,所述第一补偿电容和所述第二补偿电容分别由所述M1金属层和所述M2金属层与所述VDD/VSS电位层中的VDD电位层重叠部分形成,或所述第一补偿电容和所述第二补偿电容分别由所述M1金属层和所述M2金属层与所述VDD/VSS电位层中的VSS电位层的重叠部分形成。
7.根据权利要求1所述的异形显示屏,其特征在于,还包括VDD/VSS电位层,所述第一栅极驱动电阻组件的栅极线为M1金属层,所述第二栅极驱动电路组件的栅极线为M2金属层,所述M1金属层、所述M2金属层和所述VDD/VSS电位层设置于所述非显示区域,所述M1金属层、所述M2金属层和所述VDD/VSS电位层平行设置,所述VDD/VSS电位层包括同层设置的VDD电位层和VSS电位层,所述第一补偿电容由所述M1金属层与所述VDD/VSS电位层中的VDD电位层的重叠部分组成,所述第二补偿电容由所述M2金属层与所述VDD/VSS电位层中的VSS电位层的重叠部分组成。
8.根据权利要求1所述的异形显示屏,其特征在于,还包括VDD/VSS电位层和M2金属层,所述第一栅极驱动电阻组件的栅极线为第一M1金属层,所述第二栅极驱动电路组件的栅极线为第二M1金属层,所述第一M1金属层、所述第二M1金属层、所述M2金属层和所述VDD/VSS电位层设置于所述非显示区域,所述第一M1金属层、所述第二M1金属层、所述M2金属层和所述VDD/VSS电位层平行设置,所述第一M1金属层和所述第二M1金属层至所述M2金属层的距离相同,所述第一补偿电容由所述第一M1金属层于与所述M2金属层的重叠部分形成,所述第二补偿电容由所述第二M1金属层于与所述M2金属层的重叠部分形成,其中,所述M2金属层连接所述VDD/VSS电位层。
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