[实用新型]一种高损伤阈值的反射器件有效
| 申请号： | 201820446138.8 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN207937632U | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 吴绍龙;秦琳玲 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G02B1/10 | 分类号： | G02B1/10;G02B5/12 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 张欢勇 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波长 高低折射率 反射器件 基底 薄膜 低折射率薄膜 高折射率薄膜 损伤 光学技术领域 本实用新型 热累积效应 高反射膜 硅微米线 基底表面 界面缺陷 微米量级 光吸收 介孔 晶硅 传导 | ||
【权利要求书】：
1.一种高损伤阈值的反射器件，以晶硅为基底，所述基底其中一个表面上布设有间距为微米量级的硅微米线阵列，基底的另一表面上设置若干组光学厚度为1/4波长的高低折射率薄膜对，以基底表面为内侧，所述的高低折射率薄膜对自内侧向外侧依次为光学厚度为1/4波长高折射率薄膜、光学厚度为1/4波长低折射率薄膜；最外侧的高低折射率薄膜对外侧依次为光学厚度为1/4波长的高折射率薄膜和光学厚度为1/2波长的低折射率薄膜。
2.根据权利要求1所述的高损伤阈值的反射器件，所述的晶硅包括双面抛光的重掺杂晶片。
3.根据权利要求1所述的高损伤阈值的反射器件，所述的晶硅的电阻率＜0.01Ω·cm。
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