[实用新型]新型接触器线圈节能控制器有效

专利信息
申请号: 201820398630.2 申请日: 2018-03-23
公开(公告)号: CN208093454U 公开(公告)日: 2018-11-13
发明(设计)人: 黄佳颜;王建卫 申请(专利权)人: 贵州工程应用技术学院
主分类号: H01H47/04 分类号: H01H47/04
代理公司: 贵阳东圣专利商标事务有限公司 52002 代理人: 于俊汉
地址: 551700 贵*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 快速释放 续流电路 电源电压采样电路 单片机电源电路 高速开关电路 接触器 电源 本实用新型 节能控制器 新型接触器 电路连接 晶振电路 电路 接触器线圈 二极管 电能损耗 电气性能 电源负端 线圈连接 被控 负端 正端 能耗 外部
【权利要求书】:

1.一种新型接触器线圈节能控制器,包括晶振电路(1)、单片机电源电路(2)、MCU单片机(3)、电源电压采样电路(4)、线圈的续流电路(5)、高速开关电路(6)、快速释放电路(7)、外部被控接触器(8)、电源+(9),其特征在于:电源+(9)连接单片机电源电路(2)、电源电压采样电路(4)、线圈的续流电路(5)、线圈(10),单片机电源电路(2)、电源电压采样电路(4)和晶振电路(1)连接MCU单片机(3),线圈(10)连接续流电路(5)和快速释放电路(7),线圈的续流电路(5)和快速释放电路(7)连接二极管D6的正端,D6的负端与电源正连接,MCU单片机(3)和快速释放电路(7)连接高速开关电路(6),高速开关电路(6)与电源负端连接。

2.如权利要求1所述的新型接触器线圈节能控制器,其特征在于:所述的晶振电路(1)由C01、C02、XTAL构成,晶振电路(1)给MCU单片机(3)U2提供振荡配置,即MCU单片机(3)U2的外部时钟输入电路。

3.如权利要求1所述的新型接触器线圈节能控制器,其特征在于:所述的单片机电源电路(2)由R1、D4、7805、C1、C2构成,单片机电源电路(2)给单片机提供5V DC工作电源;在电源电压高于30V后,稳压二极管D4将电压钳位在7805允许的最高输入电位;C1、C2使7805的输出电压更稳定。

4.如权利要求1所述的新型接触器线圈节能控制器,其特征在于:所述的MCU单片机(3)PIC12F675是microchip公司生产的一款8脚单片机,内置一个10bitA/D转换器、T0、T1两个定时器,运用A/D转换对电源电压进行采样,利用T0、T1两个定时器产生16KHz、占空比可调的振荡频率来控制高速开关Q2。

5.如权利要求1所述的新型接触器线圈节能控制器,其特征在于:所述的电源电压采样电路(4)由R4、R5、C3、D5构成,R4、R5将电源电压变换到PIC12F675允许输入的电压范围内,输入MCU的模拟输入端口AN1进行A/D转换,计算出电源电压值;C3、D5抑制瞬时干扰电压,保护MCU。

6.如权利要求1所述的新型接触器线圈节能控制器,其特征在于:所述的线圈的续流电路(5)由D2、D3、C5、R2、R3、Q1、D6构成,当T0时刻Q2导通后,电源通过D1→R1→D2对C5快速充电至电源电压,由R1、R2分压后加在Q1的G、S极,确保Q1导通,Q2截止期间,由于C5放电回路时间常数远大于Toff的时间,依然保持电源电压,使Q1保持导通,Q2截止期间线圈(10)产生的感应电压即反电势由OUT-→Q1→D6→OUT+给线圈(10)续流,使电磁体保持吸合状态。

7.如权利要求1所述的新型接触器线圈节能控制器,其特征在于:所述的高速开关电路(6), Q2为N沟道MOSFET场效应管,Q2由PIC12F675的GP0口控制,高速开关线圈(10),使线圈(10)电压变成方波序列。

8.如权利要求1所述的新型接触器线圈节能控制器,其特征在于:所述的快速释放电路(7)由D6、D7构成,当电源断电后,C5通过R2→R3→D6放电,Q1截止,线圈(10)反电势只能从OUT-→D7→D6→OUT+释放,但此时稳压管D7工作在反向击穿状态,等效电阻较大,即放电时间常数τ=L/R很小,线圈存储的能量很快泄放,线圈(10)电流迅速降到零,电磁铁很快释。

9.如权利要求1所述的新型接触器线圈节能控制器,其特征在于:所述的电源+(9)端通过二极管D1的正端接入,然后通过二极管D1的负端分别到电阻R1、R4、线圈(10)的一端及二极管D6的负端;电阻R1的另一端分别接稳压块U1的电源输入端、电容C1的一端、稳压管D4的负端及二极管D2的正端;稳压块U1的输出端分别接MCU单片机(3)U2的电源端和电容C2的一端;电容C1的另一端、电容C2的另一端、稳压管D4的正端、MCU单片机(3)U2的Vss端及稳压块U1的COM端连接一起接地;二极管D2的负端接电阻R2的一端和电容C5的一端;电阻R2的另一端接电阻R3的一端、稳压管D3的负端及MOSFET管Q1的栅极;MOSFET管Q1的漏极接线圈的另一端和稳压管D7的负端;电容C5的另一端、电阻R3的另一端、稳压管D3的正端、二极管D6的正端及稳压管D7的正端、MOSFET管Q1的源极与MOSFET管Q2的漏极连接在一起;电阻R4的另一端与电容C3的一端、稳压管D5的负端、电阻R5的一端及MCU单片机U2(3)的Gp1端连接在一起;电容C3的另一端、稳压管D5的正端、电阻R5的另一端连接在一起接地;MCU单片机(3)U2的Gp0端接电容C4的一端和MOSFET管Q2的栅极;电容C4的另一端和MOSFET管Q1的源极连接在一起接地;MCU单片机(3)U2的Gp5端与晶振XTAL的一端及电容C01的一端连在一起;MCU单片机(3)U2的Gp4端与晶振XTAL的另一端及电容C02的一端连在一起;电容C01的另一端电容C02的另一端连在一起接地。

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