[实用新型]一种自适应消除死区的全波整流信号发生电路

权利要求书

1.一种自适应消除死区的全波整流信号发生电路，其特征在于该电路包括有：

一个比较器，包括正输入端和负输入端，以及正输出端和负输出端；

其特征在于该电路还包括一个反馈调整电路，其输入信号为比较器正输出端和/或负输出端，输出信号为输出至上述比较器输入级的电流，并使得比较器的正输出端或负输出端信号的占空比为47-53％。

2.如权利要求1所述的自适应消除死区的全波整流信号发生电路，其特征在于所述反馈调整电路包括一个占空比检测电路，用于根据上述比较器正输出端或负输出端的信号的占空比来输出一个和占空比相关的占空比电压信号；还包括一个电流调节电路，用于根据上述占空比电压输出一个电流至上述比较器的输入级，并使得比较器正/负输出端信号占空比为47-53％。

3.如权利要求2所述的自适应消除死区的全波整流信号发生电路，其特征在于上述占空比检测电路具有一个source电流的PMOS电流源和一个sink电流的NMOS电流源，且所述PMOS电流源和NMOS电流源之间设置有两个反馈开关：反馈开关1和反馈开关2；其中，PMOS电流源源端接电源，栅端接来自参考电流源的P型偏置信号，漏端接反馈开关1的输入端；NMOS电流源源端接地，栅端接来自参考电流源的N型偏置信号，漏端接反馈开关2的输入端；上述反馈开关1和反馈开关2的输出端电短接作为占空比检测电路的输出端，并电连接到积分电容。

4.如权利要求3所述的自适应消除死区的全波整流信号发生电路，其特征在于所述反馈开关1和反馈开关2的控制端接比较器的正输出端或负输出端。

5.如权利要求3所述的自适应消除死区的全波整流信号发生电路，其特征在于上述的电流调节电路由至少一个PMOS和一个NMOS串接组成，其中PMOS源端接电源，NMOS源端接地；PMOS和NMOS漏端短接到一起，并作为电流输出端电连接到比较器的差分输入对管之一的漏端；PMOS管和NMOS管的栅极短接并接上述占空比检测电路的输出端。

6.如权利要求5所述的自适应消除死区的全波整流信号发生电路，其特征在于上述电流调节电路包括依次串接的PMOS管PM2、PM3，NMOS管NM2、NM3，其中PM2源端接电源，NM3源端接地；PM2/PM3/NM2/NM3的栅端接反馈电压VFB，PM3和NM2的漏端短接并输出调节电路IFB。