[实用新型]格栅式等离子体反应装置

权利要求书

1.一种格栅式等离子体反应装置，该反应装置具有套筒式结构，且该反应装置包括：

内筒(1)，所述内筒(1)上分别设置有反应物入口(11)和产物出口(12)；

外筒(2)，所述外筒(2)嵌套在所述内筒(1)的外部，且所述外筒(2)上分别设置有导热介质入口(21)和导热介质出口(22)，由所述导热介质入口(21)引入的导热介质能够包围在所述内筒(1)的外周，并且所述导热介质能够由所述导热介质出口(22)引出；

高压电极(3)，所述高压电极(3)设置在所述内筒(1)中，且所述高压电极(3)在所述内筒(1)中设置有至少一层；在各个高压电极层中，所述高压电极(3)的个数为两个以上，各个所述高压电极(3)彼此平行，且相邻两个所述高压电极(3)之间有间隙r1，所述r1＞0；

接地电极(4)，形成所述接地电极(4)的材料为固体导电材料，所述接地电极(4)设置在所述内筒(1)中，且所述接地电极(4)在所述内筒(1)中设置有至少一层；在各个接地电极层中，所述接地电极(4)的个数为两个以上，各个所述接地电极(4)彼此平行，且相邻两个所述接地电极(4)之间有间隙r2，所述r2＞0；

阻挡介质(6)，所述阻挡介质(6)设置在所述高压电极(3)和/或所述接地电极(4)的外表面；

其中，各个所述高压电极层与各个所述接地电极层交替层叠设置，且相邻的所述高压电极层与所述接地电极层之间有间隙r3，所述r3＞0。

2.根据权利要求1所述的格栅式等离子体反应装置，其中，r1、r2和r3各自独立地小于等于100mm。

3.根据权利要求1所述的格栅式等离子体反应装置，其中，r1、r2和r3与所述阻挡介质(6)的厚度D1之比各自独立地为(0.1～150)：1。

4.根据权利要求3所述的格栅式等离子体反应装置，其中，r1、r2和r3与所述阻挡介质(6)的厚度D1之比各自独立地为(0.2～100)：1。

5.根据权利要求3所述的格栅式等离子体反应装置，其中，r1、r2和r3与所述阻挡介质(6)的厚度D1之比各自独立地为(0.5～80)：1。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的格栅式等离子体反应装置，其中，r1、r2和r3与放电区域的长度L₁之间的比例关系各自独立地为1：(2～1500)；所述放电区域的长度L₁为反应物开始进入由所述高压电极和接地电极产生的放电场至离开所述放电场的垂直距离。

7.根据权利要求6所述的格栅式等离子体反应装置，其中，r1、r2和r3与放电区域的长度L₁之间的比例关系各自独立地为1：(20～500)。

8.根据权利要求1-5中任意一项所述的格栅式等离子体反应装置，其中，各个所述高压电极(3)彼此并联连接。

9.根据权利要求1-5中任意一项所述的格栅式等离子体反应装置，其中，各个所述接地电极(4)彼此并联连接。

10.根据权利要求1-5中任意一项所述的格栅式等离子体反应装置，其中，形成所述阻挡介质(6)的材料为电绝缘材料。

11.根据权利要求1-5中任意一项所述的格栅式等离子体反应装置，其中，该反应装置还包括接地线(5)，所述接地线设置在所述外筒(2)的外侧壁上，且一端与所述接地电极(4)电连接。

12.根据权利要求1-5中任意一项所述的格栅式等离子体反应装置，其中，所述反应物入口(11)设置在所述内筒(1)的上部，以及所述产物出口(12)设置在所述内筒(1)的底部。