[实用新型]热硬化型复合胶带有效
| 申请号: | 201820006277.9 | 申请日: | 2018-01-02 |
| 公开(公告)号: | CN207891298U | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
| 发明(设计)人: | 林志维;赖俊廷 | 申请(专利权)人: | 达迈科技股份有限公司 |
| 主分类号: | C09J7/30 | 分类号: | C09J7/30 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 热硬化型 黏着物 第一表面 复合胶带 黏着剂 基材 黏着 本实用新型 第二表面 离型层 加热 剥离 覆盖 | ||
本实用新型提供一种热硬化型复合胶带,用以黏着于一被黏着物上,其包括有:一基材,其具有一第一表面及第二表面;一热硬化型黏着剂,涂布于该基材的第一表面,用以黏着于该被黏着物上,其具有一初始黏着力为大于300gf/inch,将其加热后降至常温时黏着力为小于200gf/inch,用以降低与被黏着物的黏着力;及一离型层,其覆盖于该热硬化型黏着剂上,可自其剥离。
技术领域
本实用新型关于一种热硬化型复合胶带,其用以贴合于一被黏着物上,经加热后降至常温可降低黏着性,使其可自被黏着物剥离。
背景技术
在现有技术中,黏着材料诸如黏着片已被广泛用于各种产品(例如半导体晶圆)的生产过程中。举例而言,作为半导体晶圆切割时所用的黏着片。因此,使用黏着片以辅助半导体晶圆的切割工作时,黏着片的黏着力须足以与将半导体晶圆相互固定而不与半导体晶圆分离,即不发生剥离。另外,在半导体晶圆经过切割后,于进行拾取(pick-up)经切割的半导体晶圆的步骤中,则需要将黏着片与半导体晶圆分离。因此,用于半导体晶圆的生产过程的黏着片需要同时具备良好的黏着力,以及在经过处理后的易剥离的特性。
在现有的黏着片产品中,于进行所需的处理,例如经过高温工艺之后,黏着片与被黏附的对象之间的黏着力都会上升,因此,反而使得被黏附的对象上的剥离转印污染量增多或产生残胶等问题。
因此,为了解决上述问题,现有技术已发展出一种黏着片,其是在黏着片所使用的黏着材料的聚合物中加入具有光硬化特性的官能基。如此一来,在半导体晶圆经过切割后,只要对黏着片进行照光步骤,可以使得黏着片发生硬化而降低其黏着性。据此,可以轻易地在所需的时点将黏着片自经过切割的半导体晶圆剥离。
然而,对黏着片进行照光步骤,例如对光硬化型黏着片照射放射线需要额外添购放射线机台等设备,且在生产过程中需要新增站点,而增加生产成本与降低生产效率。除此之外,由于一般储存或工作环境中仍或多或少存在有紫外线而影响光硬化黏着片的黏着力,因此,光硬化型黏着片具有不易保存的缺点。
因此,在现有技术中,用于保护或固定目标表面的黏着剂组合物仍然有改善的空间。
实用新型内容
本实用新型的热硬化型复合胶带,其包括有面胶带,其包括有一基材,其具有一第一表面及第二表面;一热硬化型黏着剂,涂布于该基材的第一表面,用以黏着于该被黏着物上,其具有一初始黏着力为大于300gf/inch,将其加热后降至常温时黏着力为小于200gf/inch,用以降低与被黏着物的黏着力;及一离型层,其覆盖于该热硬化型黏着剂上,可自其剥离。
附图说明
图1为本实用新型用热硬化型复合胶带的第一示意图;
图2为本实用新型用热硬化型复合胶带的第二示意图;
图3为本实用新型用热硬化型复合胶带的第三示意图;
图4为本实用新型用热硬化型复合胶带的第三示意图。
附图标记说明:
基板 10
热硬化型黏着剂 12
离型层 14、22
第一表面 16
第二表面 18
被黏着物 20、24
具体实施方式
请参阅图1,本实用新型用热硬化型复合胶带的第一示意图,其包括有一基板10、一热硬化型黏着剂12及一离型层14。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于达迈科技股份有限公司,未经达迈科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820006277.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种金属铜箔胶带
- 下一篇:一种改性玉米秸秆复合纤维增强摩擦材料





