[发明专利]一种含芘化合物及有机发光二极管器件在审
申请号: | 201811650063.6 | 申请日: | 2018-12-31 |
公开(公告)号: | CN109651312A | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 马腾达;黄达 | 申请(专利权)人: | 瑞声科技(南京)有限公司 |
主分类号: | C07D307/77 | 分类号: | C07D307/77;C07F7/08;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 王刚;龚敏 |
地址: | 210093 江苏省南京市汉口*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芘化合物 有机发光二极管器件 发光基团 分子中心 有机电致发光材料 苯并呋喃 发光寿命 发光效率 萘结构 芘基 发光 应用 保证 | ||
1.一种含芘化合物,其特征在于,具有式(I)所示的结构:
其中,
R1-R10各自独立地表示氢、氘、氟、氯、溴、碘、取代或未取代的C1-C24烷基、取代或未取代的C6-C36芳基、取代或未取代的C3-C36杂芳基、取代或未取代的C1-C24烷氧基、取代或未取代的C6-C36芳氧基、取代或未取代的C3-C36杂芳氧基、取代或未取代的C2-C24烷胺基、取代或未取代的C7-C36芳胺基、取代或未取代的C4-C36杂芳胺基,且R1-R10中的至少一个具有式(II)所示的结构:
*表示式(II)通过该位置与式(I)所示结构中的芘残基连接;
Ap、Aq各自独立地表示取代或未取代的C1-C24烷基、取代或未取代的C6-C36芳基、取代或未取代的C3-C36杂芳基,且Ap、Aq中的至少一个具有式(III)所示的结构:
式(II)中的氮原子与式(III)中的10位碳原子相连;
式(III)中的氢原子未被取代或各自独立地被氘、氟、取代或未取代的C1-C12的烷基、取代或未取代的C6-C24芳基、取代或未取代的C3-C24杂芳基中的一个或多个取代。
2.根据权利要求1所述的含芘化合物,其特征在于,所述取代或未取代的C1-C24烷基、取代或未取代的C6-C36芳基、取代或未取代的C3-C36杂芳基、取代或未取代的C1-C24烷氧基、取代或未取代的C6-C36芳氧基、取代或未取代的C3-C36杂芳氧基、取代或未取代的C2-C24烷胺基、取代或未取代的C7-C36芳胺基、取代或未取代的C4-C36杂芳胺基、取代或未取代的C1-C12的烷基、取代或未取代的C6-C24芳基、取代或未取代的C3-C24杂芳基中的取代是指:各自独立地被氘、氟、烷基、烷氧基、芳基、杂芳基、氟取代烷基、氘取代烷基、硅取代烷基、氟取代烷氧基、氘取代烷氧基、硅取代烷氧基、氟取代芳基、氘取代芳基、硅取代芳基、氟取代杂芳基、氘取代杂芳基或硅取代杂芳基中的一种取代。
3.根据权利要求1所述的含芘化合物,其特征在于,具有式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)或(Ig)所示的结构:
其中,
R1-R10各自独立地表示氢、氘、取代或未取代的C1-C24烷基、取代或未取代的C6-C36芳基、取代或未取代的C3-C36杂芳基;
Ar1-Ar8各自独立地表示取代或未取代的C1-C24烷基、取代或未取代的C6-C36芳基、取代或未取代的C3-C36杂芳基,且Ar1-Ar8中的至少一个具有式(III)所示的结构:
式(Ia)、(Ib)、(Ic)、(Id)、(Ie)、(If)或(Ig)中的氮原子与式(III)中的10位碳原子相连;式(III)中的氢原子未被取代或各自独立地被氘、氟、取代或未取代的C1-C12的烷基、取代或未取代的C6-C24芳基、取代或未取代的C3-C24杂芳基中的一个或多个取代。
4.根据权利要求3所述的含芘化合物,其特征在于,R1-R10各自独立地表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、氟取代甲基、氟取代乙基、氟取代丙基、氟取代丁基、氟取代戊基、氟取代己基、苯基、甲苯基、乙苯基、丙苯基、丁苯基、戊苯基或己苯基;
Ar1-Ar8各自独立地表示苯基、甲苯基、乙苯基、丙苯基、丁苯基、戊苯基、己苯基、苯苯基、氟取代苯基、氟取代甲苯基、氟取代乙苯基、氟取代丙苯基、氟取代丁苯基、氟取代戊苯基、氟取代己苯基、氟取代苯苯基、硅取代苯基、硅取代甲苯基、硅取代乙苯基、硅取代丙苯基、硅取代丁苯基、硅取代戊苯基、硅取代己苯基、硅取代苯苯基或烷基取代的苯苯基;
所述氟取代是指:取代芳香环上的氢或取代烷基上的氢;所述硅取代的是指被三甲基硅或三苯基硅取代;所述烷基取代是指:被甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基取代;所述取代基团为一个或多个,当取代基团为多个时,取代基团相同或不同。
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