[发明专利]电器、功率器件及其形成方法

权利要求书

1.一种功率器件，其特征在于，包括：

基板；

设置在所述基板第一侧的第一上桥臂开关管至第三上桥臂开关管；

设置在所述基板第一侧的第一下桥臂开关管至第三下桥臂开关管；

设置在所述基板第一侧的第一上桥臂高压驱动器至第三上桥臂高压驱动器，所述第一上桥臂高压驱动器至第三上桥臂高压驱动器分别与所述第一上桥臂开关管至第三上桥臂开关管相连，其中，所述第一上桥臂高压驱动器至第三上桥臂高压驱动器分别设置在所述第一上桥臂开关管至第三上桥臂开关管之上；

设置在所述基板第一侧的第一下桥臂低压驱动器至第三下桥臂低压驱动器，所述第一下桥臂低压驱动器至第三下桥臂低压驱动器分别与所述第一下桥臂开关管至第三下桥臂开关管相连，其中，所述第一下桥臂低压驱动器至第三下桥臂低压驱动器分别设置在所述第一下桥臂开关管至第三下桥臂开关管之上；

设置在所述基板第一侧的PFC电路。

2.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述基板为金属基板或陶瓷基板。

3.如权利要求2所述的功率器件，其特征在于，当所述基板为金属基板时，还包括：

覆盖所述基板第一侧的绝缘层。

4.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，还包括：

设置在所述基板第二侧的散热器。

5.如权利要求4所述的功率器件，其特征在于，所述基板和所述散热器均由湿式碳素复合材料构成，且所述基板和所述散热器一体形成。

6.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第一上桥臂高压驱动器至第三上桥臂高压驱动器通过BCD或SOI工艺制作，所述第一下桥臂低压驱动器至第三下桥臂低压驱动器通过BIPOLAR或COMS工艺制作。

7.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述第一上桥臂开关管至第三上桥臂开关管包括第一IGBT管至第三IGBT管，所述第一上桥臂高压驱动器至第三上桥臂高压驱动器设置在所述第一IGBT管至第三IGBT管的射极之上，所述第一下桥臂开关管至第三下桥臂开关管包括第四IGBT管至第六IGBT管，所述第一下桥臂低压驱动器至第三下桥臂低压驱动器设置在所述第四IGBT管至第六IGBT管的射极之上。

8.如权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述PFC电路，包括开关管、与所述开关管相连的低压驱动器和碳化硅SBD管。

9.一种功率器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板第一侧形成第一上桥臂开关管至第三上桥臂开关管和第一下桥臂开关管至第三下桥臂开关管；

在所述基板第一侧形成PFC电路；

在所述第一上桥臂开关管至第三上桥臂开关管之上形成第一上桥臂高压驱动器至第三上桥臂高压驱动器，并在所述第一下桥臂开关管至第三下桥臂开关管之上形成第一下桥臂低压驱动器至第三下桥臂低压驱动器。

10.如权利要求9所述的功率器件的形成方法，其特征在于，通过氮气保护的回流炉将第一上桥臂开关管至第三上桥臂开关管和第一下桥臂开关管至第三下桥臂开关管焊接至所述基板。

11.如权利要求9所述的功率器件的形成方法，其特征在于，所述第一上桥臂开关管至第三上桥臂开关管包括第一IGBT管至第三IGBT管，所述第一上桥臂高压驱动器至第三上桥臂高压驱动器设置在所述第一IGBT管至第三IGBT管的射极之上，所述第一下桥臂开关管至第三下桥臂开关管包括第四IGBT管至第六IGBT管，所述第一下桥臂低压驱动器至第三下桥臂低压驱动器设置在所述第四IGBT管至第六IGBT管的射极之上。