[发明专利]一种低噪声RC振荡器

权利要求书

1.一种低噪声RC振荡器，包括锁相环路，所述锁相环路包括依次连接的低通滤波器电路、压控振荡器电路、差分转单端电路，以及分别连接于所述压控振荡器电路和所述差分转单端电路的分频器电路，其特征在于，所述低噪声RC振荡器还包括连接于所述分频器电路的开关电容电路，连接于所述低通滤波器电路的电流镜电路和电流比较器电路，所述电流比较电路还连接有偏置电流源、稳压电路；

所述偏置电流源为所述电流比较器电路提供偏置电源，所述电流比较器电路输出控制电压至所述低通滤波器，所述压控振荡器电路产生时钟频率以控制所述开关电容电路进行充/放电；所述压控振荡器电路将所述时钟频率输出至所述差分转单端电路，以使所述差分转单端电路输出时钟信号；

所述电流镜电路包括运算放大器、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管分别连接于所述运算放大器的两个输入端，所述第三PMOS管和所述第四PMOS管分别连接于所述运算放大器的两个输出端；

所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极连接于电源、栅极相互连接、漏极分别连接于所述运算放大器的两个输入端；

所述第三PMOS管和所述第四PMOS管的栅极分别连接于所述运算放大器的两个输出端；所述第三PMOS管的源极连接于所述第一PMOS管的漏极、漏极分别连接于所述第一PMOS管的栅极和电流比较器电路；所述第四PMOS管的源极连接于所述第二PMOS管的漏极、漏极分别连接于所述电流比较器电路和所述低通滤波器电路；

所述电流比较器电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管；

所述第一NMOS管的漏极连接于第三PMOS管的漏极、栅极连接于所述第三NMOS管的漏极、源极连接于所述第五NMOS管的栅极；所述第二NMOS管的漏极连接于所述第四PMOS管的漏极、栅极连接于所述第四NMOS管的漏极、源极连接于所述第六NMOS管的栅极；

所述第三NMOS管的漏极连接于所述偏置电流源、源极连接于所述第五NMOS管的漏极、栅极连接于所述第四NMOS管的栅极；所述第四NMOS管的漏极连接于所述偏置电流源、源极连接于所述第六NMOS管的漏极；

所述第五NMOS管和所述第六NMOS管的源极接地、栅极连接于稳压电路。

2.根据权利要求1所述的低噪声RC振荡器，其特征在于，所述电流比较器电路还连接有可变电阻，所述可变电阻的一端连接于所述第五NMOS管的栅极，另一端接地。

3.根据权利要求1所述的低噪声RC振荡器，其特征在于，所述稳压电路包括，第一电阻和第二电阻；所述第一电阻的一端连接于所述第五NMOS管的栅极，另一端接地；所述第二电阻的一端连接于所述第六NMOS管的栅极，另一端接地。

4.根据权利要求3所述的低噪声RC振荡器，其特征在于，所述第一电阻的阻值与所述第二电阻的阻值相等。

5.根据权利要求1所述的低噪声RC振荡器，其特征在于，所述偏置电流源包括第一偏置电流、第二偏置电流、第一电容和第二电容，所述第一偏置电流连接于所述第四NMOS管的漏极，所述第二偏置电流连接于所述第三NMOS管的漏极；

所述第一电容的一端连接于所述第一偏置电流、另一端接地；所述第二电容的一端连接于所述第二偏置电流、另一端接地。

6.根据权利要求1所述的低噪声RC振荡器，其特征在于，所述开关电容电路包括第三电容和连接于所述分频器电路的第一开关和第二开关，所述第一开关的一端连接于所述第六NMOS管的栅极、另一端连接于所述第三电容的一端和所述第二开关的一端，所述第三电容的另一端和所述第二开关的另一端接地。