[发明专利]带通滤波器

说明书

本发明提供一种带通滤波器，具备：由电介质构成的主体、五个谐振器、屏蔽件、由导体构成的隔开部。五个谐振器以电路结构上相邻的两个谐振器进行电容耦合的方式构成。五个谐振器各自具有谐振器导体部。第一级和第五级的谐振器在电路结构上不相邻但进行磁耦合。隔开部以通过第一级与第五级的谐振器各自的谐振器导体部之间的方式延伸，并与屏蔽件电连接。

技术领域

本发明涉及包含多个谐振器和屏蔽件的带通滤波器。

背景技术

目前，第五代移动通信系统(以下，称为5G。)的标准化不断发展。5G中，为了扩大频段，研究着10GHz以上的频段、特别是10～30GHz的准毫米波段及30～300GHz的毫米波段的利用。

用于通信装置的电子部件之一中具有具备多个谐振器的带通滤波器。多个谐振器各自具有例如一方向上较长的导体部。另外，带通滤波器中，具有为了防止向周围辐射电磁波，而利用屏蔽件包围多个谐振器的结构的带通滤波器。

日本国专利申请公开2006-311100号公报中记载有可在准毫米波段及毫米波段下使用的芯片型多级滤波器装置。该芯片型多级滤波器装置具备：层叠多个电介质层而成的多层基板、第一及第二表面接地电极、第一及第二内部接地电极、第一及第二λ/2谐振器电极。多层基板具有对置的第一及第二主面和连结第一及第二主面的第一～第四侧面。第一侧面与第二侧面对置。第一表面接地电极设置于第一侧面。第二表面接地电极设置于第二侧面。第一内部接地电极设置于多层基板内、距第一主面相对较近的电介质层。第二内部接地电极设置于多层基板内、距第二主面相对较近的电介质层。第一及第二λ/2谐振器电极配置于由第一及第二表面接地电极和第一及第二内部接地电极包围的区域。

日本国专利申请公开2006-311100号公报所记载的芯片型多级滤波器装置还具备通路孔导体和电容单元。通路孔导体以贯通多个电介质层中的至少一部分电介质层的方式设置，以将第一及第二内部接地电极进行电连接。第一及第二λ/2谐振器电极经由通路孔导体进行对置配置。电容单元为了对第一及第二λ/2谐振器电极间施加耦合电容而设置于多层基板内。

利用屏蔽件包围多个谐振器的结构的带通滤波器中，通过利用屏蔽件和其内侧的电介质形成类似波导管的的结构，产生一个以上的电磁波的传播模式。以下，将该电磁波的传播模式称为波导管模式。带通滤波器中，由于该波导管模式不同，产生具有存在于比通频带高的频域的共振频率的不需要的共振，并产生比通频带高的频域中的衰减特性恶化的问题。特别是通频带以存在于准毫米波段及毫米波段的方式设计的带通滤波器中，即使是共振频率最低的波导管模式(以下，称为最低阶波导管模式。)的共振频率，也较接近通频带，因此，上述的问题变得显著。

最低阶波导管模式的共振频率根据由屏蔽件包围的空间的形状进行变化。一般而言，该空间越大，最低阶波导管模式的共振频率越低。

日本国专利申请公开2006-311100号公报中记载有利用通路孔导体能够抑制外形形状所引起的共振的内容。外形形状所引起的共振与上述的波导管模式所引起的共振对应。

但是，日本国专利申请公开2006-311100号公报所记载的滤波器装置中，存在以下那样的问题点。该滤波器装置中，在电路结构上相邻且电容耦合的两个λ/2谐振器电极之间配置有通路孔导体。一般而言，以电路结构上相邻的两个谐振器耦合的方式构成的带通滤波器中，电路结构上相邻的两个谐振器之间需要较强的耦合。日本国专利申请公开2006-311100号公报所记载的滤波器装置中，存在难以不使带通滤波器的特性劣化地兼得在电路结构上相邻的两个λ/2谐振器电极之间产生较强的电容耦合和在该两个λ/2谐振器电极之间配置通路孔导体的问题点。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种带通滤波器，其包含多个谐振器和屏蔽件且具有良好的特性。