[发明专利]一种线性地址获取方法及装置

说明书

本发明实施例提供了一种线性地址获取方法及装置，该方法包括：接收寻址指令，其中所述寻址指令包括地址标识；根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的晶片Die地址；根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的闪存片Plane地址；根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的块Block地址；根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的字线WL地址；根据所述Die地址、所述Plane地址、所述Block地址和所述WL地址，得到目标地址。本发明实施例将非易失存储器中比Page高一层级的WL作为最小寻址单位，可以避免出现寻址标识与Page无法对齐的现象发生，使得寻址正确率大大提升。

技术领域

本发明涉及存储器处理技术领域，特别是涉及一种线性地址获取方法及装置。

背景技术

随着各种电子装置及嵌入式系统等的发展，非易失性存储器件被广泛应用于电子产品中。以非易失性存储器NAND闪存(NAND Flash Memory)为例一个Nand闪存为一个设备(device)，一个设备可以有2个晶片(Die)，一个晶片可以分成两个闪存片(Plane)，一个闪存片可以分成2048个块(Block)，一个块可以被分成很256个页(Page)，一个块也可以对应有256个WL(Word Line，字线)。

现有技术中，非易失存储器的地址通常是以Page为单位，因此，对非易失存储器进行寻址时，通常也是以Page为计数单位。

然而，发明人在研究上述技术方案的过程中发现，上述技术方案存在如下缺陷：NandFlash中还分为MLC NandFlash(Multi Level Cell，多层单元闪存)、TLC NandFlash(Triple Level Cell，三层单元闪存)等；对于MLCNandFlash，每个WL包含Page数是2整数倍，对于TLC NandFlash，每个WL包含Page数是3的整数倍，当以Page为单位进行寻址时，TLCNandFlash中经常会出现寻址错误的现象。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明实施例的一种线性地址获取方法及装置，以解决TLCNandFlash出现的寻址错误问题。

根据本发明的第一方面，提供了一种线性地址获取方法，应用于非易失存储器，所述方法包括：

接收寻址指令，其中所述寻址指令包括地址标识；

根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的晶片Die地址；

根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的闪存片Plane地址；

根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的块Block地址；

根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的字线WL地址；

根据所述Die地址、所述Plane地址、所述Block地址和所述WL地址，得到目标地址。

优选地，所述根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的Die地址，包括：

将所述地址标识右移Plane Bit后，与Die地址掩码进行与计算；其中，所述PlaneBit根据所述非易失存储其中所包括的Plane的个数确定，所述Die地址掩码由所述非易失存储器中所包括的Die所占的位数确定。

优选地，所述根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的闪存片Plane地址，包括：

将所述地址标识与Plane地址掩码进行与计算；其中，所述Plane地址掩码由所述非易失存储器中所包括的Plane所占的位数确定。

优选地，所述根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的块Block地址，包括：