[发明专利]一种MEMS电容薄膜真空规在审
| 申请号: | 201811565352.6 | 申请日: | 2018-12-20 |
| 公开(公告)号: | CN109632181A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
| 发明(设计)人: | 李得天;成永军;韩晓东;孙雯君;李刚;袁征难;孙健;高洁 | 申请(专利权)人: | 兰州空间技术物理研究所 |
| 主分类号: | G01L21/00 | 分类号: | G01L21/00 |
| 代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 李爱英;郭德忠 |
| 地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜 感压 岛状结构膜 圆形薄膜 电容薄膜 真空规 分辨率 挠度 测量 敏感电容结构 测量分辨率 共模抑制比 输出变化量 差分测量 差分结构 电容关系 方向相反 基础电容 寄生电容 径向应力 敏感电容 压力产生 灵敏度 形变 侧电极 差动式 电容量 线性度 相等 电路 | ||
本发明提供了一种MEMS电容薄膜真空规,能够实现1~1000Pa范围真空度的测量,测量分辨率为0.5Pa。感压薄膜为具有岛状结构膜的圆形薄膜。圆形薄膜在径向应力以及应变非常均匀,在相同压力下,圆膜的挠度比方膜更大,从而使得感压薄膜的灵敏度更高。而岛状结构膜可以增大薄膜的刚度,进而降低感压薄膜的挠度,增大基础电容,有利于提高分辨率同时,使得压力‑电容关系的线性度更优。同时,具有岛状结构膜的圆形薄膜为双侧电极差动式敏感电容结构,使得感压薄膜因压力产生形变时,敏感电容输出变化量相等、方向相反的两个电容量,再通过后续差分测量电路构成双差分结构,从而提高共模抑制比,消除寄生电容以及温度等因素对测量结果的影响,提高测量的分辨率。
技术领域
本发明属于机械设计和真空规量技术领域,具体涉及一种MEMS电容薄膜真空规。
背景技术
电容薄膜真空规是一种真空测量仪器,利用弹性薄膜在压差作用下产生位移,引起电极和膜片之间距离的变化,导致电容量发生改变,通过测量电容的变化,测量压力和蒸汽的全压力,测量结果与气体成分和种类无关,可用作低真空的参考标准和量值传递过程中的传递标准。具有测量准确度高、线性好、输出的重复性和长期稳定性好、能够测量气体的压力。但是传统的机械式电容薄膜真空规体积大、质量大、功耗高以及工作温度范围窄,已经难以满足深空探测、风洞试验、临近空间探测和生物医学等领域对真空测量仪器小型化、低功耗的要求。
MEMS微机电系统技术是建立在微米/纳米技术基础上的21世纪前沿技术,是指对微米/纳米材料进行设计、加工、制造、测量和控制的技术,可以将机械构件、光学系统、驱动部件以及电控系统集成为一个整体单元的微型系统。这种微电子机械系统不仅能够采集、处理与发送信息或指令,还能够按照所获取的信息自主地或根据外部的指令采取行动。利用微电子技术和微加工技术(包括硅体微加工、硅表面加工、LIGA和晶片键合等技术)相结合的制造工艺,制造出各种性能优异、价格低廉、微型化的真空规、执行器、驱动器和微系统,实现了传统的机械结构无法实现的功能。基于MEMS技术制作的电容薄膜真空规,突破了传统的真空测量仪器外形及质量限制,具有体积小、重量轻、功耗低、制作工艺与集成电路(IC)兼容,便于集成化批量生产等优点,能更好的满足特殊条件下的真空测量需求。目前的MEMS电容薄膜真空规其感压薄膜多为正方形或长方形薄膜,其固定电极只位于感压薄膜一侧,吸气剂集中放置,前端测量电路与真空规距离较远,没有集成在一起,真空度的测量范围有限,测量分辨率较低。
发明内容
本发明提供了一种MEMS电容薄膜真空规,能够实现1~1000Pa范围真空度的测量,测量分辨率为0.5Pa。
为实现上述目的,本发明的一种MEMS电容薄膜真空规,包括进气口、感压薄膜、固定电极、真空腔室、上基底、下基底和引出电极,所述固定电极包括上电极与下电极,上电极或下电极上设有与进气口相对的开口;真空腔室内被感压薄膜分为上下两个空间;上基底和下基底与感压薄膜相对的端面上分别放置上电极与下电极;所述感压薄膜为包括岛膜以及平膜,平膜为圆形薄膜,其中,岛膜为平膜上下两侧对称设置的凸起膜;上电极与下电极大小与感压薄膜大小一致。
其中,所述感压薄膜材料为基于浓硼掺杂单晶硅。
其中,所述感压薄膜采用各向异性腐蚀和自停止的工艺制作而成。
其中,所述感压薄膜与进气口不相对的一侧镀有吸气剂薄膜。
其中,所述吸气剂薄膜通过磁控溅射镀TiZrV薄膜获得。
其中,还包括金属法兰及壳体和温度控制层;真空腔室置于壳体内,壳体安装在金属法兰上;温度控制层固定在壳体内壁,用于控制真空规工作的温度范围。
其中,真空规安装好之后在设定温度下烘烤,将吸气剂薄膜激活。
有益效果:
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