[发明专利]双电源切换系统及切换方法

权利要求书

1.一种双电源切换系统，其特征在于，包括检测单元、控制器、第一开关电路、第二开关电路和交互阻隔电路；

所述检测单元的输入端连接至主电源的输出端，检测单元的输出端连接至所述控制器的信号检测端；控制器的控制输出端分别连接至所述第一开关电路的控制端和第二开关电路的控制端；第一开关电路的输入端连接主电源的输出端；第二开关电路的输入端连接备用电源的输出端；第一开关电路的输出端和第二开关电路的输出端分别连接至所述交互阻隔电路的输入端；所述交互阻隔电路的输出端连接外部设备；

所述第一开关电路包括PMOS管Q1，PMOS管Q1的源极作为第一开关电路的输入端，接主电源的输出端；PMOS管Q1的栅极作为第一开关电路的控制端，接控制器的控制输出端；PMOS管Q1的漏极作为第一开关电路的输出端，接所述交互阻隔电路的输入端；PMOS管Q1的源极还通过其内部体二极管反接其漏极；

所述第二开关电路包括PMOS管Q2，PMOS管Q2的源极作为第二开关电路的输入端，接备用电源的输出端；PMOS管Q2的栅极作为第二开关电路的控制端，接控制器的控制输出端；PMOS管Q2的漏极作为第二开关电路的输出端，接所述交互阻隔电路的输入端；PMOS管Q2的源极还通过其内部体二极管反接其漏极；

所述交互阻隔电路包括PMOS管Q3、PMOS管Q4、电阻R3和电阻R4；PMOS管Q3的漏极作为所述交互阻隔电路的输入端，接所述PMOS管Q1的漏极；PMOS管Q3的栅极通过所述电阻R3接地，PMOS管Q3的漏极通过其内部体二极管正接其源极；PMOS管Q3的源极接PMOS管Q4的源极；

PMOS管Q4的漏极作为所述交互阻隔电路的输入端，接所述PMOS管Q2的漏极；PMOS管Q4的栅极通过所述电阻R4接地，PMOS管Q4的漏极通过其内部体二极管正接其源极；

PMOS管Q3的栅极接PMOS管Q4的漏极；PMOS管Q4的栅极接PMOS管Q3的漏极；

PMOS管Q3的源极与PMOS管Q4的源极共同作为所述交互阻隔电路的输出端，连接外部设备。

2.一种双电源切换方法，其特征在于，在权利要求1所述双电源切换系统上运行；所述控制器执行以下方法：

读取检测单元的输出信号；

根据检测单元的输出信号得到主电源的工作状态，并根据所述工作状态输出高电平或低电平，控制PMOS管Q1或PMOS管Q2导通。

3.根据权利要求2所述双电源切换方法，其特征在于，

当所述主电源的工作状态为工作时，控制PMOS管Q1导通，PMOS管Q2截止。

4.根据权利要求2所述双电源切换方法，其特征在于，

当所述主电源的工作状态为断电时，控制PMOS管Q1截止，PMOS管Q2导通。