[发明专利]肖特基二极管测试方法及装置

权利要求书

1.一种肖特基二极管测试方法，其特征在于，包括：

获取第一测试结构的总电容，并根据所述第一测试结构的总电容确定肖特基二极管的寄生电容；所述第一测试结构为阳极金属焊盘与阴极Pad N+外延层直接相接的肖特基二极管；

获取第二测试结构的总电容，并根据所述第二测试结构的总电容计算肖特基二极管的衬底寄生电容和空气桥引线电容；所述第二测试结构为去除阴极Pad与阳极Pad之间的空气桥的肖特基二极管；

获取第三测试结构的总电感，并根据所述第三测试结构的总电感计算肖特基二极管的空气桥寄生电感；第三测试结构为阳极金属焊盘与阴极金属焊盘直接相接的肖特基二极管。

2.如权利要求1所述的肖特基二极管测试方法，其特征在于，所述肖特基二极管的寄生电容与所述第一测试结构的总电容相等。

3.如权利要求1所述的肖特基二极管测试方法，其特征在于，所述肖特基二极管的衬底寄生电容与所述第二测试结构的总电容相等。

4.如权利要求1所述的肖特基二极管测试方法，其特征在于，通过

C_f＝C_par-C_pp

计算所述肖特基二极管的空气桥引线电容；

其中，C_f表示所述肖特基二极管的空气桥引线电容，C_par表示所述肖特基二极管的寄生电容，C_pp所述肖特基二极管的衬底寄生电容。

5.如权利要求1所述的肖特基二极管测试方法，其特征在于，通过

L_f＝L_tot(short)-L_pad1-L_pad2

计算所述肖特基二极管的空气桥寄生电感；

其中，L_f表示所述肖特基二极管的空气桥寄生电感；L_tot(short)表示所述第三测试结构的总电感；L_pad1＝L_pad2＝k(ImZ_short(1，2))，Z_short表示所述第三测试结构的阻抗，L_pad1和L_pad2分别表示阴极金属焊盘的电感和阳极金属焊盘的电感，ω表示角频率，ImZ_short(1，2)表示Z_short的虚部。

6.如权利要求1至5中任一项所述的肖特基二极管测试方法，其特征在于，所述肖特基二极管测试方法还包括：

获取肖特基二极管的总电容，并根据所述肖特基二极管的总电容计算肖特基二极管的结电容。

7.如权利要求6所述的肖特基二极管测试方法，其特征在于，通过

C_j＝C_tot-C_par

计算所述肖特基二极管的结电容；

其中，C_j表示所述肖特基二极管的结电容，C_tot表示所述肖特基二极管的总电容，C_par表示所述肖特基二极管的寄生电容。

8.一种肖特基二极管测试装置，其特征在于，包括：

第一计算单元，用于获取第一测试结构的总电容，并根据所述第一测试结构的总电容确定肖特基二极管的寄生电容；在所述第一测试结构中，肖特基二极管的阳极金属焊盘与阴极Pad N+外延层直接相接；

第二计算单元，用于获取第二测试结构的总电容，并根据所述第二测试结构的总电容计算肖特基二极管的衬底寄生电容和空气桥引线电容；在所述第二测试结构中，肖特基二极管的阴极Pad与阳极Pad之间的空气桥被去除；

第三计算单元，用于获取第三测试结构的总电感，并根据所述第三测试结构的总电感计算肖特基二极管的空气桥寄生电感；在所述第三测试结构中，肖特基二极管的阳极金属焊盘与阴极金属焊盘直接相接。