[发明专利]一种LED过温调节电路及芯片

权利要求书

1.一种LED过温调节电路，其特征在于，包括：第一正温度电阻、负温度二极管、第一电流源、第二电流源、比较器、第三电流源、第二十三MOS管、第二正温度电阻、第二三极管以及调节端口，

所述第一电流源的正端分别与所述比较器的反向输入端和第一正温度电阻的一端连接，所述第一正温度电阻的另一端与地连接；

所述第二电流源的正端分别与所述比较的正向输入端和所述负温度二极管的正端连接，所述负温度二极管的负端与地连接；

所述第三电流源的正端与所述第二十三MOS管的源极连接，所述比较器的输出端与所述第二十三MOS管的栅极连接，

所述第二十三MOS管的漏极分别与所述第二三极管的基极和第二正温度电阻的一端连接，所述第二正温度电阻的另一端与地连接，所述第二三极管的发射极与地连接，所述第二三极管的集电极与调节端口连接，

所述第一电流源的负端、所述第二电流源的负端以及所述第三电流源的负端均与电源电压连接。

2.根据权利要求1所述的LED过温调节电路，其特征在于，所述比较器包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第四电流源以及第五电流源，

所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极均与地连接，

所述第五MOS管的栅极和所述第一电流源的正端连接，所述第六MOS管的栅极和所述第二电流源的正端连接，所述第五MOS管的源极和所述第六MOS管的源极均与所述第四电流源的正端连接，所述第四电流源的负端与电源电压连接，

所述第二MOS管的漏极分别与所述第六MOS管的漏极和所述第三MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的漏极与地连接，所述第三MOS管的漏极与第五电流源的正端连接，所述第五电流源的负端与电源电压连接，所述第三MOS管的源极与地连接，

所述第一MOS管的漏极与所述第五MOS管的漏极和第二MOS管的栅极连接。

3.根据权利要求2所述的LED过温调节电路，其特征在于，所述第一电流源包括第十一MOS管和第十二MOS管，所述第十一MOS管的漏极与所述第十二MOS管的源极连接，所述第十一MOS管的栅极和所述第十二MOS管的栅极分别与所述第一输入信号VB1和所述第二输入信号VB2连接，所述第十一MOS管的源极与电源电压连接，所述第十二MOS管的漏极与所述第五MOS管的栅极连接。

4.根据权利要求2所述的LED过温调节电路，其特征在于，所述第二电流源包括第十三MOS管和第十四MOS管，所述第十三MOS管的漏极与所述第十四MOS管的源极连接，所述第十三MOS管的栅极和所述第十四MOS管的栅极分别与所述第一输入信号VB1和所述第二输入信号VB2连接，所述第十三MOS管的源极与电源电压连接，所述第十四MOS管的漏极与所述第六MOS管的栅极连接。

5.根据权利要求2所述的LED过温调节电路，其特征在于，所述第三电流源包括第十九MOS管和第二十MOS管，所述第十九MOS管的漏极与所述第二十MOS管的源极连接，所述第十九MOS管的栅极和所述第二十MOS管的栅极分别与所述第一输入信号VB1和所述第二输入信号VB2连接，所述第十九MOS管的源极与电源电压连接，所述第二十MOS管的漏极与所述第二十三MOS管的源极连接。

6.根据权利要求2所述的LED过温调节电路，其特征在于，所述第四电流源包括第十五MOS管和第十六MOS管，所述第十五MOS管的漏极与所述第十六MOS管的源极连接，所述第十五MOS管的栅极和所述第十六MOS管的栅极分别与所述第一输入信号VB1和所述第二输入信号VB2连接，所述第十五MOS管的源极与电源电压连接，所述第十六MOS管的漏极与所述第六MOS管的源极连接。