[发明专利]一种中继器有效

专利信息
申请号: 201811512865.0 申请日: 2018-12-11
公开(公告)号: CN109639334B 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 张建福 申请(专利权)人: 深圳市联智物联网科技有限公司
主分类号: H04B7/155 分类号: H04B7/155
代理公司: 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 代理人: 左正超
地址: 518000 广东省深圳市福田区华富街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 中继
【权利要求书】:

1.一种中继器,其特征在于:包括:

处理器,用于控制射频芯片的RF信号收发;

射频芯片,使用SPI协议与处理器通信连接由其控制,并向第一放大器发送差分RF信号,或接收来自第二放大器的差分RF信号;

第一放大器,设于发射传输线路中并工作于中继器的发射状态,将射频芯片的差分RF信号进行放大后通过RF天线发送出去;

第二放大器,设于接收传输线路中并工作于中继器的接收状态,将RF天线接收的RF信号进行放大后传输至射频芯片;

RF天线,用于收发RF信号;

电源,为处理器、射频芯片、第一放大器和第二放大器供电;

所述中继器还包括设于发射传输线路和接收传输线路中且切换二者的第一IC FET单刀双掷开关、第二IC FET单刀双掷开关,以及与射频芯片电连接并控制第一IC FET单刀双掷开关和第二IC FET单刀双掷开关执行切换动作的NP沟道PowerTrench MOSFET;

所述第一IC FET单刀双掷开关设于射频芯片与第一放大器和第二放大器之间,第二ICFET单刀双掷开关设于第一放大器和第二放大器与RF天线之间;

所述第一IC FET单刀双掷开关和第二IC FET单刀双掷开关的型号为AS179-92,NP沟道PowerTrench MOSFET的型号为FDG6332C_085;

第一IC FET单刀双掷开关的5端口与射频芯片U4电连接传输差分RF信号,4端口连接TX信号,6端口连接RX信号,3端口连接第二放大器U7,1端口连接第一放大器U6,第二IC FET单刀双掷开关的5端口通过天线接口连接RF天线,4端口连接连接RX信号,6端口连接TX信号,3端口连接第一放大器U6,1端口连接第二放大器U7;

所述处理器及其外围电路组成最小系统,处理器的型号为ATMEGA8;

所述射频芯片及其外围电路构成射频最小系统,所述射频芯片的型号为CYRF693640LFXC。

2.根据权利要求1所述的一种中继器,其特征在于:所述第一放大器为功率放大器,第二放大器为低噪声放大器。

3.根据权利要求2所述的一种中继器,其特征在于:所述第一放大器的型号为MAX2247,第二放大器的型号为MAX2644。

4.根据权利要求1所述的一种中继器,其特征在于:所述处理器还连接有扩展接口,扩展接口连接有LED灯或/和蜂鸣器,以及传感器。

5.根据权利要求4所述的一种中继器,其特征在于:所述传感器包括温度传感器、湿度传感器、光照传感器、PM2.5传感器、CO2传感器、压力传感器、烟雾传感器的一种或多种。

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